LDO电路设计规范

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1、Q/XJ××××—2001基础硬件部发布2004-05-01实施2014-05-01发布LDO电路设计规范设计规范IQ/XJ79.0019—2003前言低压降（LDO）线性稳压器的成本低，纹波小，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一个输入电容和输出电容。但是他也有很明显的缺点，发热量大、效率低。设计注意事项主要有输入电容、输出电容的选择以及本身的功耗。在电路设计中，硬件工程师选用了多款LDO电源芯片，每一种LDO电源芯片对输入输出电容都有不同的要求，一颗LDO芯片也可以

2、使用多种电容以保证电源电压输出的稳定。这些造成了不同的硬件工程师在使用同一颗LDO芯片设计了不同的电路。本规范主要对LDO的输入输出电容的选择以及输出电流进行规范，方便电源的设计以及测试。本规范仅作为部门内部规范，作为设计、校核、审核LDO电源电路的依据。本规范主要起草人：王振华。IQ/XJ79.0019—2003LDO电路设计规范1　范围本规范规定了LDO电路输入输出电容的选择以及电源输出的电流的基本要求。2　规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其

3、随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。Q/XJ20.50-2012许继集团企业标准3　术语和定义3.1LDO一种低压差的线性电源芯片，使用简单但是电源效率偏低。3.2典型电路为了实现某一功能经过验证的、成熟的电路。4　典型电路以及主要元器件型号以及参数4.1MIC39101-3.3V典型电路设计5Q/XJ79.0019—2003电容类型容值/耐压等效串联电阻型号C

4、1瓷片电容10Uf10V10mΩGRM21BR61A106KE19LC2钽电容47Uf16V800mΩ TAJD476K016RNJ输入电压VIN输出电压VOUT最大允许输出电流5V3.3V200mA4.2MIC37302-WU典型电路设计5Q/XJ79.0019—2003电容的选取电容类型容值/耐压等效串联电阻型号C1瓷片电容10Uf10V10mΩGRM21BR61A106KE19LC2瓷片电容47Uf10V3mΩGRM31CR61A476ME15#电阻阻值的选取:输入电压VIN输出电压VOUT电阻

5、阻值（精度1%）允许最大输出电流3.3V1.8VR1=10kR2=22k300mA3.3V2.5VR1=10.2kR2=10k600mA5V3.3VR1=16.9kR2=10k300mA4.3TPS73025典型电路设计5Q/XJ79.0019—2003电容类型容值/耐压等效串联电阻型号C1瓷片电容10Uf10V10mΩGRM21BR61A106KE19LC2瓷片电容10Uf10V10mΩGRM21BR61A106KE19LC3瓷片电容10nf25V2ΩGRM155R71E103KA01D输入电压VI

6、N输出电压VOUT允许最大输出电流3.3V2.5V200mA5V2.5V60mA4.4TPS73033典型电路设计5Q/XJ79.0019—2003电容类型容值/耐压等效串联电阻型号C1瓷片电容10Uf10V10mΩGRM21BR61A106KE19LC2瓷片电容10Uf10V10mΩGRM21BR61A106KE19LC3瓷片电容10nf10V2ΩGRM033R61E103KA12D输入电压VIN输出电压VOUT最大允许输出电流5V3.3V90mA4.5ISL9007-2.5V典型电路设计电容类型容

7、值/耐压等效串联电阻型号C1瓷片电容10Uf10V10mΩGRM21BR61A106KE19LC2瓷片电容10Uf10V10mΩGRM21BR61A106KE19L输入电压VIN输出电压VOUT允许最大输出电流3.3V2.5V250mA5V2.5V80mA5