驱动电路IR2110的特性及应用

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1、驱动电路IR2110的特性及应用功率变换装置中的功率开关器件，根据主电路的不同，一般可采用直接驱动和隔离驱动两种方式。其中隔离驱动可分为电磁隔离和光电隔离两种。光电隔离具有体积小，结构简单等优点，但同时存在共模抑制能力差，传输速度慢的缺点。快速光耦的速度也仅有几十kHz。电磁隔离用脉冲变压器作为隔离元件，具有响应速度快(脉冲的前沿和后沿)，原副边的绝缘强度高，dv／dt共模干扰抑制能力强等特点。但信号的最大传输宽度有受磁饱和特性的限制，因而信号的顶部不易传输。而且最大占空比被限制在50％。同时信号的最小宽度也要受磁化电流的限制。同时脉冲变压器体积也大，

2、而且笨重，工艺复杂。凡是隔离驱动方式，每路驱动都需要一组辅助电源，若是三相桥式变换器，则需要六组，而且还要互相悬浮，因而增加了电路的复杂性。随着驱动技术的不断成熟，现已有多种集成厚膜驱动器推出。如EXB840／841、EXB850／851、M57959L／AL、M57962L／AL、HR065等等，它们均采用的是光耦隔离，而光耦隔离仍受到上述缺点的限制。而美国IR公司生产的IR2110驱动器则兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。1 IR2110的结构特点IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS工

3、艺制造，DIP14脚封装。该器件具有独立的低端和高端输入通道。其悬浮电源采用自举电路，高端工作电压可达500V，dV／dt=±50Wns，15V下的静态功耗仅116mW。IR2110的输出端f脚3，即功率器件的栅极驱动电压)电压范围为10～20V，逻辑电源电压范围(脚9)为5～15V，可方便地与TTL、CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V的偏移量；此外，该器件的工作频率可达500kHz，而且开通、关断延迟小(分别为120ns和94ns)，图腾柱输出峰值电流为2A。IR2110的内部功能框图如图1所示。由图可见，它由逻辑输入、电平平

4、移及输出保护三个部分组成。IR2110可以为装置的设计带来许多方便，尤其是高端悬浮自举电源的成功设计，可以大大减少驱动电源的数目。2自举元器件的选择图2所示是基于IR2110的半桥驱动电路。其中的自举二极管VD1和电容C1是IR2110在大功率脉宽调制放大器应用时需要严格挑的元器件，应根据一定的规则进行计算分析。在电路实验时，还要进行一些调整，以使电路工作在最佳状态。2.1 自举电容的设计IGBT和PM(POWERMOSFET)具有相似的门极特性，它们在开通时都需要在极短的时间内向门极提供足够的栅电荷。假定在器件开通后，自举电容两端的电压比器件充分导通

5、所需要的电压(10V，高压侧锁定电压为8.7／8.3V)要高，而且在自举电容充电路径上有1.5V的压降(包括VD1的正向压降)，同时假定有1／2的栅电压(栅极门槛电压VTH通常3～5V)因泄漏电流引起电压降。那么，此时对应的自举电容可用下式表示：例如IRF2807充分导通时所需要的栅电荷Qg为160nC(可由IRF2807电特性表查得)，Vcc为15V，那么有：这样C1约为0.1μF，设计中即可选取C1为0.22μF或更大，且耐压大于35V的独石电容。2.2悬浮驱动的最宽导通时间ton(max)确定当最长的导通时间结束时，功率器件的门极电压Vgs仍必须

6、足够高，即必须满足式(1)的约束关系。对于MOSEFT，因为绝缘门极输入阻抗比较高，假如栅电容(Cgs)充电后，在Vcc为15V时有15μA的漏电流(IgQs)从C1中抽取，若仍以本文的自举电容设计的参数为例，Qg=160nC，△U=Vcc-10-1.5=3.5V，Qavail=△UC=3.5x0.22=0.77μC。则过剩电荷△Q=0.77-0.16=0.61μC，△Uc=△Q／C=0.61／0.22=2.77V，因此可得Uc=10+2.77=12.77V。由U=Uc及栅极输入阻抗R为1MΩ，即可求出t(即ton(max)为：2.3悬浮驱动的最窄导通

7、时间ton(min)确定在自举电容的充电路径上，分布电感将会影响充电的速率。下管的最窄导通时间应保证自举电容能够有足够的电荷，以满足Gge所需要的电荷量加上功率器件稳态导通时漏电流所失去的电荷量。因此从最窄导通时间ton(min)考虑，自举电容应足够小。实际上，在选择自举电容大小时，应当综合考虑，既不能大到影响窄脉冲的驱动性能，但也不能太小。2.4 自举二极管的选择自举二极管是一个重要的自举器件。它应在高端器件开通时能阻断直流干线上的高压，并且应当是快恢复二极管，以减小从自举电容向电源Vcc的回馈电荷。二极管承受的电流是栅极电荷与开关频率之积。为了减少

8、电荷损失，应选择反向漏电流小的快恢复二极管。如果电容需要长期贮存电荷，则高温反向漏电流十分重要