方块电阻测试

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1、方块电阻测试介绍小问题ECVSIMS方块电阻怎样快速表征硅片扩散性能？（浓度、深度、均匀性）12四探针方阻测试原理34方块电阻测试方法方块电阻定义测试方阻时需注意的问题目录方块电阻定义方块电阻，又叫薄层电阻、面电阻，是指表面为正方形导电薄层的电阻值，它与正方形薄层边长无关，而与薄层电阻率和厚度有关，计算公式为：其中，ρ为薄层电阻率，l为所选正方形边长，Xj为薄层厚度llXj测量电阻率的方法很多，如两探针法，四探针法，单探针扩展电阻法以及现在正在流行的一些非接触测试方法。方块电阻测试方法四探针方阻测试原理由于扩散

2、层非常薄（厚度仅1μm左右），探针1流出的电流可认为在以探针1为中心的表面散开，等势面是以探针1以中心的圆柱面，在距中心r处电流密度：所以，距中心r处电场强度为：探针1和4分别看作流入点流源和流出点流源，则探针2和3之间电压差为：四探针方阻测试原理这就是四探针法测无穷大薄层的方块电阻的公式，为准确测量，要求样品厚度Xj远比探针间距S小，样品尺寸远远大于探针间距，对于不满足条件的样品，采用以下修正公式：C为修正因子，与薄层的几何尺寸有关；结合上式，得到：四探针测试方阻时注意问题如果被测导电薄膜材料表面上不干净，存

3、在油污或材料暴露在空气中时间过长，形成氧化层，会影响测试精度；由于探针有少子注入及探针移动存在，所以在测量中可以进行正反两个方向电流测量，然后取其平均值以减小误差；电流选择要适当，太小会影响测试精度，太大会引起发热或非平衡载流子注入；对于高阻及光敏感性材料测试时，光电导效率会影响测量，应在暗室进行；对于大面积硅片测试时一般采用五点法测试，选取最大值点与最小值点反映硅片方块电阻均匀性；思考1、分析四探针法方块电阻测试误差来源，指出与区别与条件是什么？2、比较二探针法和四探针法测量有何不同感谢各位！