半导体器件测试

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1、半导体器件测试一、单项选择题：（每题2分，共30分）1、掺杂半导体中多数载流了浓度取决于（）A温度B杂质浓度C光照D电子空穴对2、在外电压作用下，空穴与电子运动电流方向（）A相同B相反C与外电压无关D不能确定3、在PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。A大于B小于C等于4、以下对二极管说法正确的是（）A二极管正向电阻大，反向电阻小，且相差越大越好B二极管具有放大作用C二极管具有单向导电性D稳压二极管与一般二极管和互使用5、用于放大时，场效应管工作在特性曲线的（）A夹断区B恒流区C可变电阻区D以上区域都可以6、硅二极管开始导通电压是（）A0.2VB

2、0.3VC0.5VD0.7V7、为了使三极管可靠的截止，电路必须满足（）A发射结正偏B发射结反偏C发射结和集电结均反偏D发射结和集电结均正偏8、用万用表测得某电路中硅三极管的正极电压为2V,负极电压为1.5V,则二极管所处的状态（）A正偏B反偏C开路D击穿9、半导体二极管导通的充分且必要条件是（）A加正偏电压B加反偏电压C加大于死区电压的正向偏压D加小于死区电压的止向电压10、面接触型品体二极管比较适用于（）A小信号检波B大功率整流C大电流开关11、3DG120A型三极管饱和导通时其集电极与发射极Z间的饱和压降VCES的值为（）A0.7VB0.4VC

3、0.3VD0.IV12、场郊应管的转移特性曲线是在VDS为固定值时（）的关系曲线。AVGS与IGBVDS与IDCVGS与IDDVDS与VGS13、场效应管的跨导表征的是（）控制作用。AVDS对IDBVGS对VDSCVGS对IDDIG对VDS14、结场效应管工作时应加上（）栅源电压。A正向B反向C0D正向或反向15、光电二极管有光线照射时，反向电阻（0A减少B增大C基木不变D无法确定二、填空题：（每题1分，共10分）1、二极管长期运行时允许通过的最大正向电流称为（）。2、二极管反向工作电压VRM是二极管正常使用时所允许加的（）。）Z间关）o）控制器3、

4、场效应管的转移特性曲线是反应（）和（系。4、场效应管的工作区域是（）（）（5、三极管是一•种（）控制器件，场效应管是一种（件。6、2AP系列晶体管是（）半导体材料制成的，2CZ系列晶体二极管是不是（）半导体材料制成的。三、判断题：（每题1分，共10分）1、本征半导体中可以导电。2、N型半导休主要靠自由电子导电，因此带负电。3、两个二极管可以合成一个三极管。4、随着反向电压增加，二极管反向电流也会增加。5、N沟道结型场效应管导通的条件是VGSW0。6、穿透电流是多数载流子形成的电流。其值越大，三极管的稳定性越差。7、晶休二极管击穿立即烧毁。8、三极管的

5、发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以E极和C极可以互换使用。9、对于NPN型三极管，当VBE>0,VBE>VCE,则该管的工作状态是饱和状态。10、在硅本征半导休屮掺入五价元索就会形成P型半导休。四、简答题；1、画岀N沟道结型、增强型、绝缘栅型场效应管的转移特性曲线。2、对丁JP"型三极管，试根据下列数据，判断岀相应的工作状态:（1）VBE>0,VBE0,VBE>VCE（3）VBE<0,VBE>VCE3、画出二极管伏安特性曲线（硅管和铭•管）并标岀各分区。五、计算题：1、三极管工作在放大状态时，万用表测得三极

6、管三个管脚电压如图所示。试判断各管了的管脚、管型和半导体材料。②2、某场效应管的输出特性如图所示，试判断:（1）该场效应管的类型。（2）它的夹断电压或开启电压大约是多少？（3）饱和漏极电流大概是多少。3、某三极管的输出特性曲线如图所示,求IB二40UAM,VCE=25V时，管子的交流电流放大系数和直流电流放大系数，穿透电流。4、判断二极管是导通还是截I上?