GBT11094-2007水平法砷化镓单晶及切割片

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1、ICS29．045H83瘩亘中华人民共和国国家标准GB／T1094--2007代替GB／T11094--1989水平法砷化镓单晶及切割片Horizontalbridgmangrowngalliumarsenidesinglecrystalandcuttingwafer2007-09-11发布2008-02-01实施丰瞀熊鬻瓣警糌瞥霎发布中国国家标准化管理委员会及111刖吾GB／T11094--2007本标准是对GB／T110941989《水平法砷化镓单晶及切割片》的修订。本标准与原标准相比，主要

2、变动如下：——单晶生长方向上增加了近几年在生产中大量使用的<110>晶带上由<111>B方向向最远的A方向偏转o。～20。生长单晶，明确提出了生长偏角由生产工艺参数决定；——明确了晶锭作为单晶产品；——切割片中取消了目前基本已被淘汰的直径为蛆omm、≠50mm以及矩形和D形片的规定；——增加了目前大量使用的直径≠50．8mm、≠63．5mm切割片和国际上少量使用的直径≠76mm切割片的规定等等。本标准实施之日代替GB／T11094—1989。本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全

3、国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：北京有色金属研究总院。本标准主要起草人：武壮文、王继荣、张海涛、于洪国。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：——GB／T11094—1989．水平法砷化镓单晶及切割片GB／T11094--20071范围本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为

4、本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB／T1555半导体单晶晶向测定方法GB／T2828．1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB／T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB／T8760砷化镓单晶位错密度的测量方法GB／T14264半导体材料术语GJB1927砷化镓

5、单晶材料测试方法3术语、定义GB／T14264确立的以及下列术语和标准适用于本标准。3．1水平法horizontalbridgmangrown本标准中特指水平布里奇曼法，简写为：HB。3．2单晶singlecrystal本标准中出现的单晶专指水平布里奇曼法砷化镓单晶。3．3晶锭ingot本标准中出现的晶锭专指水平布里奇曼法砷化镓单晶晶锭。3．4晶片wafer本标准中出现的晶片专指水平布里奇曼法砷化镓单晶晶片。3．5切割片cuttingwafer本标准中出现的切割片专指水平法砷化镓单晶切割片。3．

6、6基准面baselevel为了检验晶锭而在单晶晶锭两端或一端切出的与切割片晶面一致的晶面。1GB／T11094--20073．7基准参考面absolutereferencelevel指为了在后续的切片中便于单晶加工和在割圆作主、次参考面时参考的在单晶晶锭左右两侧或上下两侧切出的面。3．8割圆片cuttingdisc单晶加工中，将切割后的D形片割成一定直径的圆片，称之为割圆片。4要求4．1产品分类产品按导电类型分为n型和P型；按电阻率分为低阻导电型和半绝缘型。4．2牌号4．2．1单晶、单晶锭和切割

7、片的牌号表示如下，各部分中，不影响产品识别的部分可省略：{I．．．．．．．．．．．．．．．．．一1．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．一CW表示切割片，不加表示是单晶或单晶锭元素符号表示掺杂剂，有两个以上杂剂中间用+相连，如无特意掺杂时则用“纯”表示不掺杂；HBGaAs表示水平法砷化镓。示例1：HBGaAs—Si表示用水平法生长的掺硅砷化镓单晶(或单晶晶锭)；示例2：HBGaAs·cr+o表示用水平法生长的掺铬和氧的砷化镓单晶(gt单晶晶锭)；示例3：HBGaAs—

8、Si-CW表示用水平法生长的掺硅砷化镓单晶切割片。4．3单晶4．3．1生长方向水平法砷化镓单晶以近<111>B方向或(110)晶带上由B向最远的％100>方向偏转o。～20。生长单晶。偏转角度最终由采用的生产工艺参数决定。其他方向由供需双方商定。4．3．2载流子浓度、迁移率、掺杂剂低阻导电型单晶的导电类型、掺杂剂、载流子浓度和迁移率见表1；半绝缘单晶掺杂剂、电阻率应符合表2的规定。表1载流子浓度范围／迁移率范围／导电类型掺杂剂cm一3[cms／(V·s)3Si8×1014～5×1018