ATmega16寄存器

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1、状态寄存器——SREGITHBVNZCI：全局中断触发禁止位，为中断总控制开关。T：通用标志位，用户自定义。H：半进位标志位。S：符号标志位。V：溢出标志位。N：负数标志位。Z：零标志位。C：进/借位标志位。堆栈指针寄存器高8位——SPH—————SP10SP9SP8堆栈指针寄存器低8位——SPHSP7SP6SP5SP4SP3SP2SP1SP0通用中断控制寄存器——GICRINT1INT0INT2———IVSELIVCEINT1：外部中断1使能。INT0：外部中断0使能。INT2：外部中断2使能。IVSEL：中断向量表选择。当IVSEL=0时

2、，中断向量区的位置定义在FLASH的开始处；当IVSEL=1时，定义在引导程序载入区的起始处。IVCE：中断向量表转移允许位。必须在IVCE位被写入1后的4个时钟周期内，修改IVSEL。4个时钟周期后，或IVSEL位写入后，IVCE位由硬件自动清零。通用中断标志寄存器——GIFRINTF1INTF0INTF2—————INTF1：外部中断1标志位。响应中断后，硬件清除。也可软件向该位写“1”清除。INTF0：外部中断0标志位。响应中断后，硬件清除。也可软件向该位写“1”清除。INTF2：外部中断2标志位。响应中断后，硬件清除。也可软件向该位写

3、“1”清除。T/C中断屏蔽寄存器——TIMSKOCIE2TOIE2TICIE1OCIE1AOCIE1BTOIE1OCIE0TOIE0OCIE2：T/C2输出比较匹配中断使能位。TOIE2：T/C2溢出中断使能位。TICIE1：T/C1输入捕获中断使能位。OCIE1A：T/C1输出比较A中断使能位。OCIE1B：T/C1输出比较B匹配中断使能位；TOIE1：T/C1溢出中断使能位。OCIE0：T/C0输出比较中断使能位。TOIE0：T/C0溢出中断使能位。T/C中断标志寄存器——TIFROCF2TOV2ICF1OCF1AOCF1BTOV1OCF

4、0TOV0TIFR寄存器中的各个中断标志是与TIMSK中的使能位一一对应。FLASH控制状态寄存器——SPMCSRSPMIERWWSB—RWWSREBLBSETPGWRTPGERSSPMENSPMIE：SPM中断允许当SPMIE位被置位，若状态寄存器中的I位也被置位时，SPM完成中断即被使能。只要SPMCSR寄存器中的SPMEN位被清零（程序存储器操作完成），SPM中断服务将被执行（避免轮询占用较多机时）。RWWSB：RWW区忙标志当开始对RWW区进行自编程（页擦除或页写入）操作时，RWWSB位将被硬件置位，RWWSB一旦被置位，对RWW区的

5、读操作将被禁止。在自编程操作完成后，向RWWSRE位写入1，会将RWWSB位清除。此外，如果开始一个页读取操作，也会将RWWSB位清零。RWWSRE：读RWW区允许当启动对RWW区自我编程（页擦除或页写入）操作时，RWWSB位被硬件置1，禁止对RWW区的读操作。在自我编程操作完成后（SPMEN=0），同时将RWWSRE位和SPMEN位置为1，在其后的4个时钟周期内的SPM指令将使RWW区重新开放。自我编程过程中（SPMEN=1），不能开放对RWW区的读操作。如果在加载Flash期间对RWWSRE位进行写操作，Flash的加载操作将被放弃，加载

6、的数据也将丢失。BLBSET：引导锁定位设置如果该位与SPMEN位被同时置位，紧接其后4个时钟周期内执行SPM指令将根据寄存器R0中数据对引导锁定位进行设置，而寄存器R1的数据和Z寄存器中的地址则被弃置。在引导锁定位设置操作完成后，或在其后4个时钟周期内没有执行SPM指令时，BLBSET位将自动清零。在BLBSET和SPMEN位被置位后的3个时钟周期内，执行LPM指令可将锁定位（LOCK-Bits）或熔丝位（Fuse）（由Z寄存器的Z1、Z0位确定）内容读入目的寄存器Rd中。PGWRT：页写入若该位与SPMEN位被同时置位，紧接其后4个时钟周

7、期内的SPM指令将执行页写入功能，将临时缓冲器中存储的数据写入Flash。写入页的地址取自Z指针中的高位部分，而寄存器R1和R0中数据则被弃置。页写入完成后，或在以后4个时钟周期内没有执行SPM指令时，PGWRT位将被自动清零；如果被写入页位于NRWW区，MCU将在整个页写入期间处于暂停状态。PGERS：页擦除若该位与SPMEN位被同时置位，紧接其后4个时钟周期内的SPM指令将执行页擦除功能，页地址从Z指针中的高位部分取出。在页擦除完成后，或在以后4个时钟周期内没有执行SPM指令时，PGERS位将被自动清零。如果被擦除页位于NRWW区，MCU

8、将在整个页擦除期间处于暂停状态。SPMEN：FLASH程序存储器操作使能位当SPMEN位和RWWSR、BLBSET、PGWRT以及PGERS等4个标志位中的一个被同