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时间：2019-07-23
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1、X射线光电子谱方法研究CdTe/CdS异质结界面报告人:韩俊峰北京大学核物理与核技术国家重点实验室2021/10/3内容研究背景试验方法结果和讨论结论研究背景CdS/CdTe异质结是CdTe电池的核心CdS与CdTe界面能带结构是影响异质结性能的关键参数CdS/CdTe界面晶格失配达到10%，存在大量界面态CdCl2退火处理可以改善异质结性能试验方法化学水浴方法沉积CdS层密闭空间升华方法沉积CdTe层CdCl2气氛中退火，350℃，5分钟XPS对退火前后CdTe/CdS界面进行深度分析退火前CdTe/CdS界面XPS光电子谱图退火前CdTe/C
2、dS界面S和Te分布图退火后CdTe/CdS界面XPS光电子谱图退火后CdTe/CdS界面Te和S分布图CdTe/CdS界面能带结构图S2pEVBEFECBCdSCdTeTe3d2.42eV0.98eV1.45eVCdTe电池IV曲线效率%填充因子%开路电压（mV）短路电流（mA/cm2）Withoutactivation3.7145.261313.4Withactivation11.362.376523.7CdTe电池及其制备系统结论CdTe和CdS导带不连续差值为0.01eV，价带不连续值为0.98eVCdTe和CdS层存在S和Te的相互扩散
3、CdCl2退火处理促进了S和Te的进一步扩散Te和S的扩散减少了界面态，改善了异质结性能，CdTe电池性能得到极大提高谢谢北京大学铜铟镓硒电池产品300mmX300mm平板电池管式电池
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