显影蚀刻工艺调试

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1、常州瑞择微电子科技有限公司ChangzhouRuizeMicroelectronicsCo.,Ltd.显影蚀刻工艺调试目录一.名词解释21.CD22.DOF23.DOSE24.ISOFOCALDOSE25.CDUniformity26.CDRange：27.ADI：28.AEI：29.ASI：2二.工艺调试内容31.Etchtoclear测试31.1.测试目的31.2.测试条件31.3.测试步骤，31.4.数据处理32.ISOFOCALDOSE测试32.1.测试目的32.2.测试步骤32.3.数据处理32.4.其它

2、53.CDuniformity测试53.1.测试目的53.2.测试条件53.3.测试步骤53.4.数据处理6机密7页共7页常州瑞择微电子科技有限公司ChangzhouRuizeMicroelectronicsCo.,Ltd.一.名词解释1.CDCriticalDimension，关键尺寸，也称线宽。衡量芯片制造工艺的指标。线宽越小，芯片的集成度越高，其性能越好。2.DOFDepthofFocus，焦深，指光学镜头的可聚焦范围。在该范围内图像能够清晰成像。为能够保证光胶完全曝光，焦深必须能够覆盖光刻胶层的上下表面。3

3、.DOSE曝光剂量。DOSE＝曝光强度×曝光时间，单位：mJ/cm2。4.ISOFOCALDOSE最佳感光剂量。用此剂量曝光，聚焦误差对CD影响最小。曝光机在生成图形时，由于存在机械运动，会造成FOCUS偏移。采用ISOFOCALDOSE曝光，可获得CDUniformity最优的图形。5.CDUniformityCD均匀性。是对所有CD测量值统计的标准偏差6.CDRange：CD误差。是所有CD测量值最大值和最小值的差值。7.ADI：AfterDevelopInspection。显影后CD测量。ADI一般用于检测曝

4、光机和显影机的性能指标。由于不能通过透射光测量，所以ADI一般通过电子束或扫描电镜等手段测量。8.AEI：AfterEtchInspection。蚀刻后CD测量。AEI一般用于检测蚀刻机台的性能指标。在生产上，也有两步蚀刻工艺用到AEI。即显影后先做初步蚀刻，然后根据AEI结果确定最终蚀刻工艺时间。这种工艺在蚀刻性能受环境影响比较大的设备上能够获得比较好的工艺结果。9.ASI：AfterStripInspection。去胶后CD测量，也是成品的CD测量。一般用于成品出厂检验。机密7页共7页常州瑞择微电子科技有限公司

5、ChangzhouRuizeMicroelectronicsCo.,Ltd.一.工艺调试内容1.Etchtoclear测试1.1.测试目的初步确定蚀刻工艺的时间。1.2.测试条件l一块带有铬层的空白掩模版1.3.测试步骤，l清洗测试版，去除掩模版表面污物，确保表面能够完全浸润。l将掩模版放置于卡盘上，设定卡盘旋转速度100rpm（要求与蚀刻工艺转速相同）。l打开蚀刻喷嘴，并开始计时。l观察到铬层颜色发生突变（几乎透明）时，停止计时。l关闭蚀刻喷嘴，清洗测试版和腔体。1.4.数据处理蚀刻工艺时间可初步定位测试计时的1

6、.2倍。2.ISOFOCALDOSE测试2.1.测试目的确定最佳曝光剂量。2.2.测试步骤l设置曝光程序，生成测试图形阵列。要求每一列对应不同DOSE，每一行对应不同FOCUS。l曝光生产测试版，并进行显影、蚀刻和去胶处理。l测量测试版上阵列中每个点的CD。l分析测量数据。2.3.数据处理分析案例如下：DoseFocus73.3177.1681.2285.5090.0094.7499.72104.97110.508001.9932.0422.0862.1132.1452.1802.1892.2372.2576002

7、.0022.0412.0862.1162.1462.1742.1852.2292.2514001.9992.0562.0822.1132.1432.1722.1882.2272.2482002.0092.0402.0792.1122.1392.1742.1912.2262.25202.0072.0412.0812.1132.1442.1732.2012.2302.247-2001.9962.0392.0742.1122.1452.1742.2052.2402.257-4001.9902.0232.0692.1042

8、.1412.1802.2102.2392.268-6001.9702.0242.0622.1042.1392.1802.2102.2442.271机密7页共7页常州瑞择微电子科技有限公司ChangzhouRuizeMicroelectronicsCo.,Ltd.-8002.0252.0402.0962.1472.1842.2132.2562.2922.322