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时间:2017-07-30
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1、621-382-2Uc.D4C8眉I中华人民共和国国家标准GB/T15649一1995半导体激光二极管空白详细规范Blankdetailspecificationforsemiconductorlaserdiodes1995一07一24发布1996一04一01实施国家技刁C监督局发布中华人民共和国国家标准半导体激光二极管空白详细规范GB/T15649一1995Blankdetailspecificationforsemiconductorlaserdiodes本空白详细规范规定了制定半导体激光二极管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范
2、应与本空白详细规范相一致。本规范是与GB4589.1-90《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和G1312565-90(半导体器件光电子器件分规范》有关的一系列空白详细规范中的一个。要求的资料下列所要求的各项内容,应列入规定的相应空栏中。详细规范的识别:(1)授权发布详细规范的国家标准机构名称。(2)IECQ详细规范号。(3)总规范和分规范号及其年份号。(4)详细规范号,发布日期和国家要求的任何更多的资料。器件的识别:(5)器件型号。(6)典型结构和应用资料。如果设计一种器件满足几种应用,则应在详细规范中指出。这些应用的特性,极限值和检验要求
3、应予满足。(7)外形图和(或)引用有关的外形标准。(8)质量评定类别。(9)能在器件各型号之间比较的最重要特性的参考数据。「整个空白详细规范中,在方括号内给出的内容仅供指导制定详细规范时用,而不包括在详细规范中。在极限值和特性值的“数值”栏中,“x”表示在详细规范中应给出的具体值。〕国家技术监督局1995一07一24批准1996一04一01实施GB/T15649一1995(1)(2)-一(3)(4)〔详细规范号和发布日期。如果详评定器件质量的根据细规范号与IECQ号重复,则本栏GB4589.1-90《半导体器件分立器件可以不用〕和集成电路总规范
4、访GB12565-90(半导体器件光电子器件分规范》详细规范仁器件型号〕(5)订货资料:见本规范第7章机械说明(7)简略说明(6)外形标准:类型:A型:普通激光二极管B型:聚焦束激光二极管SJ2750-86《半导体激光二极管外形尺寸》C型:光学数字传输激光二极管外形图D型:光学模拟传输激光二极管[可在本规范第10章给出详细资料丑材料:砷化稼、稼铝砷、锢嫁砷磷、锢稼铝磷、引出端识别:结构:增益导引,折射率导引,分布反馈,隐埋仁图形、色码及其它特殊方法口异质结等标志:封装形式:玻璃/金属/塑封/其它根据GB4589.1-90的第2.5条或本规范第6
5、章的规定[详细规范应规定器件上标出的最少项目」光学窗日特性质量评定类别(8)尾纤资料:「根据GB4589.1-90第2.6条口光纤类型.包层直径、数值孔径尾纤结构涂层、尾纤最小长度参考数据(9)连士u器(j查含时)按本规范鉴定合格器件的有关制造单位的资料,可在现行产品合格一览表中查到。GB/T15649一1995极限值(绝对最大额定值)除非另有规定,下列极限值在整个工作温度范围内适用。仁只重复使用带标题的条文号。任何附加值在适当的地方给出,但没有条文号。曲线最好在本规范第to章给出]。数值条文号名称符号单位最小值最大值4.1尾纤最小弯曲半径(适
6、合时)rXmm(cm)4.2输人尾纤轴向上,尾纤最大拉力(适合时)FXN4.3贮存温度T=exxC4-4工作温度4.4.1环境温度TambXXC或管壳温度T}...4.4.2热沉温度(适合时)T,.6XXrC4.5焊接温度(规定焊接时间,至管壳的Teldx℃最短距离)4.6反向电压VRXV4.7最大正向电流4.7-1最大直流正向电流IFMxmA(A)4.7.2最大脉冲正向电流,’IFVMXmA(A)4.8最大辐射功率4.8.1最大直流辐射功率0-Xmw(W)4.8.2最大脉冲辐射功率,’0-Xmw(W)注:”应规定脉冲持续时间、频率。光电特性检
7、验要求见本规范第8章。〔只重复使用带标题的条文号,任何附加特性应在适当地方给出,但没有条文号。当在同一详细规范中规定几种规格的器件吐,有关的数值应以连续方式给出,以避免相同值的重曲线最好在本规范第1o章给出。〕条件类型检验条文号特性除非另有规定符号分组T.=*或T-=25'CABCD要求5.1正向电压IF或人为规定值VFXXXXmaxA2bGB/T15649一1995条件类型检验条文号特性除非另有规定符号分组T..、或T...,二25`CABCD要求5.2阐值电流I(TH)XXXXminA2bmax5.3闭值电流下的辐IF0I(ix)人〔丁H》
8、XXXXn飞aXAlb射功率5.4.1超过9值时的正0_为规定值盯Fi)XXXXmaxA26向电流或辐射功率或DIF为规定值人XXXXmm5.4.2超
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