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时间:2019-07-09
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1、薄膜技术任课教师:刘章生概述薄膜与厚膜的区别工艺上,厚膜电路一般采用丝网印刷工艺,薄膜电路采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺;厚度上,厚膜电路的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多处于小于1μm.概述薄膜技术在电子封装中的应用:(1)生成UBM(underbarriermetal)層(2)薄膜电阻概述薄膜技术在电子封装中的应用:(3)薄膜基板(4)导线材料薄膜技术1.薄膜技术2.薄膜材料3.薄膜表征1.薄膜技术1.1溅射Plasma++++++++++++++HighVoltage+ArAr++positive-negativeArTi/AuTargete-Wa
2、ferAr+Ar+Ar+1.薄膜技术1.1溅射分类:直流溅射(DCsputteringdeposition)射频溅射(RFsputteringdeposition)双阴极溅射(dualcathodessputteringdeposition)三级溅射(triodesputteringdeposition)磁控溅射(magnetronsputteringdeposition)1.薄膜技术1.1溅镀高真空:增加粒子的平均自由程;增加靶材使用壽命.1.薄膜技术1.2蒸镀将被蒸镀物体加热(电阻丝或电子束),利用其在高温时所具有的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积.1.薄膜技术1.2蒸镀降低蒸
3、镀温度;增加原子平均自由程;去除污染物如氧和氮.真空度(4、2)鈦鎢合金(TiW)(3)Ta与TaN:主要作为銅制程阻挡层材料来自铜的挑战(a)低電阻率(銅約1.8μΩ-cm,鋁約3μΩ-cm)(b)與SiO2附着力不佳;(c)對SiO2及硅扩散速率快,易造成元件恶化;2.薄膜材料2.3导体材料铝合金的尖峰现象电致迁移2.薄膜材料2.4薄膜基板3.薄膜表征XRD分析3.薄膜表征SEM(EDS)3.薄膜表征AFM
4、2)鈦鎢合金(TiW)(3)Ta与TaN:主要作为銅制程阻挡层材料来自铜的挑战(a)低電阻率(銅約1.8μΩ-cm,鋁約3μΩ-cm)(b)與SiO2附着力不佳;(c)對SiO2及硅扩散速率快,易造成元件恶化;2.薄膜材料2.3导体材料铝合金的尖峰现象电致迁移2.薄膜材料2.4薄膜基板3.薄膜表征XRD分析3.薄膜表征SEM(EDS)3.薄膜表征AFM
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