场效应晶体管放大电路学习报告

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1、场效应晶体管放大电路自主学习报告一．场效应晶体管的分类：结型场效应管绝缘型场效应管N沟道增强型N沟道耗尽型P沟道增强型P沟道耗尽型场效应晶体管结构工作状态二．绝缘栅场效应管（MOS管）：1．N沟道增强型绝缘栅场效应管（NMOS管）：（1）结构示意图及电路符号：结构示意图电路符号N沟道增强型绝缘栅场效应管用一块杂志浓度较低的P型薄硅片做衬底，在硅片上扩散两个掺杂浓度很高的N型区（N+），引出两个铝电极源极S和漏极D。然后在P型硅表面制作SiO2，薄层做绝缘层，在它上面引出一个铝极称为栅极G。（2）工作原理：A.当

2、UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论UDS之间加上电压不会在D、S间形成电流ID,即ID≈0.B.当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。C.当UGS=UT时,在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道在UDS的作用下形成ID。D．当UGS>UT时,沟道加厚，沟道电阻减少，在相同UDS的作用下ID将进一步增加。（3）特性曲线：转移特性曲线输出特性曲线A.输出特性曲线:①可变电阻区：在Uds较小靠近输出特性曲线的纵轴处，id几乎随Uds线性增加。②恒流区：只受Ugs

3、的控制而几乎与无关，具有恒流特点，放大状态的场效应管工作在恒流区。③击穿区：当Uds增大到某值时，栅源间发生反向击穿，id急剧增加，如不加限制，会造成管子击穿。B.转移特性曲线：①当ugs=0时，id很小，近似为零。②当Ugs足够大时，才能形成导通沟道使管子导通。2.N沟道耗尽型绝缘栅场效应管：3.P沟道增强型绝缘栅场效应管（PMOS管）:4.P沟道耗尽型绝缘栅场效应管：5.场效应管的主要参数：A．夹断电压（off）。在为某一定值（通常为10V）的条件下，耗尽型MOS管中，使iD等于某一微小电流（通常小于50μ

4、A）时，栅-源极间所加的偏压就是夹断电压（off）。增强型MOS管无此参数。B．开启电压（th）。在为某一定值的条件下，增强型MOS管开始导通(Id出现)的最小的值就是（th）。C．饱和漏极电流Idss。耗尽型MOS管在=0的条件下，管子发生预夹断时的漏极电流为Idss。增强型MOS管无此参数。D．栅源直流输入电阻s。在栅-源极间所加的电压（通常u=10V）与栅极电流之比，由于场效应管的栅极几乎不取电流，因此其直流输入电阻s均很大，一般大于10Ω。E．漏源击穿电压U。增强型MOS管当=0时，在增加漏源电压的过程

5、中，使iD开始急剧增加的u值称为漏源击穿电压。F．低频跨导。三．场效应管基本放大电路：1.共源极放大电路：A.静态分析：B．动态分析：微变等效电路：2.共漏极放大电路：A．静态分析：B．动态分析：微变等效电路：