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时间:2019-07-03
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1、第九讲场效应管及其放大电路一、场效应管二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法三、场效应管放大电路的动态分析四、复合管1.4场效应三极管只有一种载流子参与导电,且利用电场效应来控制电流的三极管,称为场效应管,也称单极型三极管。场效应管分类结型场效应管绝缘栅场效应管特点单极型器件(一种载流子导电);输入电阻高;工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。DSGN符号1.4.1结型场效应管一、结构图1.4.1N沟道结型场效应管结构图N型沟道N型硅棒栅极源极漏极P+P+P型区耗尽层(PN结)在漏极和源极之间加上一
2、个正向电压,N型半导体中多数载流子电子可以导电。导电沟道是N型的,称N沟道结型场效应管。P沟道场效应管图1.4.2P沟道结型场效应管结构图N+N+P型沟道GSDP沟道场效应管是在P型硅棒的两侧做成高掺杂的N型区(N+),导电沟道为P型,多数载流子为空穴。符号GDS二、工作原理N沟道结型场效应管用改变UGS大小来控制漏极电流ID的。GDSNN型沟道栅极源极漏极P+P+耗尽层*在栅极和源极之间加反向电压,耗尽层会变宽,导电沟道宽度减小,使沟道本身的电阻值增大,漏极电流ID减小,反之,漏极ID电流将增加。*耗尽
3、层的宽度改变主要在沟道区。1.设UDS=0,在栅源之间加负电源VGG,改变VGG大小。观察耗尽层的变化。ID=0GDSN型沟道P+P+(a)UGS=0UGS=0时,耗尽层比较窄,导电沟比较宽UGS由零逐渐增大,耗尽层逐渐加宽,导电沟相应变窄。当UGS=UGS(off),耗尽层合拢,导电沟被夹断,夹断电压UGS(off)为负值。ID=0GDSP+P+N型沟道(b)UGS<0VGGID=0GDSP+P+(c)UGS=UPVGG2.在漏源极间加正向VDD,使UDS>0,在栅源间加负电源VGG,观察UGS变化时耗
4、尽层和漏极ID。UGS=0,UDG<,ID较大。GDSP+NISIDP+P+VDDVGGUGS<0,UDG<,ID较小。GDSNISIDP+P+VDD注意:当UDS>0时,耗尽层呈现楔形。(a)(b)GDSP+NISIDP+P+VDDVGGUGS<0,UDG=
5、UGS(off)
6、,ID更小,预夹断UGS≤UGS(off),UDG>
7、UGS(off)
8、,ID0,夹断GDSISIDP+VDDVGGP+P+(1)改变UGS,改变了PN结中电场,控制了ID,故称场效应管或电压控控元件;(2)结型场效应管栅源之间
9、加反向偏置电压,使PN反偏,栅极基本不取电流,因此,场效应管输入电阻很高。(c)(d)三、特性曲线1.转移特性(N沟道结型场效应管为例)OUGSIDIDSSUGS(off)图1.4.6转移特性UGS=0,ID最大;UGS愈负,ID愈小;UGS=UP,ID0。两个重要参数饱和漏极电流IDSS(UGS=0时的ID)夹断电压UGS(off)(ID=0时的UGS)UDSIDVDDVGGDSGV+V+UGS图1.4.5特性曲线测试电路+mA1.转移特性OuGS/VID/mAIDSSUP图1.4.6转移特性2
10、.漏极特性当栅源之间的电压UGS不变时,漏极电流ID与漏源之间电压UDS的关系,即结型场效应管转移特性曲线的近似公式:≤≤IDSS/VID/mAUDS/VOUGS=0V-1-2-3-4-5-6-7预夹断轨迹恒流区击穿区可变电阻区漏极特性也有三个区:可变电阻区、恒流区和击穿区。2.漏极特性UDSIDVDDVGGDSGV+V+UGS图1.4.5特性曲线测试电路+mA图1.4.6(b)漏极特性场效应管的两组特性曲线之间互相联系,可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。UDS=常数ID/mA0-0.5
11、-1-1.5UGS/VUDS=15V5ID/mAUDS/V0UGS=0-0.4V-0.8V-1.2V-1.6V101520250.10.20.30.40.5结型场效应管栅极基本不取电流,其输入电阻很高,可达107以上。如希望得到更高的输入电阻,可采用绝缘栅场效应管。图1.4.7在漏极特性上用作图法求转移特性1.4.2绝缘栅型场效应管由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管,或简称MOS场效应管。特点:输入电阻可达109以上。类型N沟道P沟道增强型耗尽型增强型耗尽型UGS=0时漏源间
12、存在导电沟道称耗尽型场效应管;UGS=0时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。一、N沟道增强型MOS场效应管1.结构P型衬底N+N+BGSDSiO2源极S漏极D衬底引线B栅极G图1.4.8N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图2.工作原理绝缘栅场效应管利用UGS来控制“感应电荷”的多少,改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,以控制漏极电流ID。工作原理分析(1)UGS=0漏源之间相当于两个背靠背的PN结,无论漏源之间加
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