《晶体管应用调试》PPT课件

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1、情境一便携式喊话器制作与调试晶体管应用调试金华职业技术学院信息工程学院电子技术课程组制二极管应用调试能用万用表检测二极管性能1能熟练分析和仿真常用二极管电路2能用万用表测试二极管电路3能用示波器测试二极管电路4二极管1.二极管基本特性图(a)：灯泡发光,说明电路导通；图(b)：二极管管脚调换位置，灯泡不发光，说明电路断开。结论：二极管具有单向导电性2.半导体二极管的结构与类型二极管的结构示意图正极负极二极管的电路符号二极管类型按材料分硅二极管锗二极管砷化镓二极管按结构分点接触型面接触型平面型二极管结构按用途分稳压二极管整流二极管发光二极管开关二极管等2.半导体二极管的结构与类型二极

2、管类型点接触型正极引线触丝N型锗片外壳负极引线负极引线面接触型N型锗PN结正极引线铝合金小球底座金锑合金正极引线负极引线集成电路中平面型pNP型支持衬底不能承受大电流和高的反向电压，但是极间电容小，适用于高频电路。能承受大电流和高的反向电压，但极间电容大，适用于低频电路，主要用于整流电路。2.半导体二极管的结构与类型二极管命合方法第一部分数字电极数2—二极管第二部分第三部分字母(汉拼)材料A—锗材料B—锗材料C—硅材料D—硅材料字母(汉拼)器件类型P—普通管W—稳压管Z—整流管K—开关管U—光电管例如：2CP2AP2CZ2CW第四部分数字器件序号第五部分字母(汉拼)规格号3.二

3、极管的伏安特性与主要参数二极管伏安特性死区电压硅管0.6V锗管0.2V导通压降硅管0.6~0.7V锗管0.2~0.3V反向击穿电压UBR反向电流急剧增大iD急剧上升3.二极管的伏安特性与主要参数二极管主要参数IF—最大整流电流：二极管长期运行时，允许通过管子的最大正向平均电流。URM—最高反向工作电压：允许加在二极管上反向电压的最大值，为U(BR)/2。IR—反向饱和电流：在室温下，二极管两端加上规定反向电压时的反向电流。越小单向导电性越好。fM—最高工作频率：超过时单向导电性变差。iDuDU(BR)IFURM3.二极管的伏安特性与主要参数二极管主要参数温度对二极管特性的影响604

4、020–0.02O0.4–25–50iD/mAuD/V20C90CT升高时UD(on)以22.5mV/C下降反向电流会急剧增加4.二极管识别与检测目测判别极性触丝半导体片4.二极管识别与检测用万用表检测二极管在R1k挡进行测量，测量时手不要接触引脚红表笔是(表内)负极,黑表笔是(表内)正极1k000一般硅管正向电阻为几千欧锗管正向电阻为几百欧正反电阻相差不大为劣质管正反电阻都是无穷大或零则二极管内部断路或短路5.二极管电路分析二极管的理想模型二极管：死区电压=0.5V，正向压降0.7V(硅二极管)理想模型：死区电压=0，正向压降=0uDiD正偏导通，uD=0反偏

5、截止，iD=0※工程实践中，当二极管的正向压降远小于和它串联的电压，反向电流远小于和它并联的电流时，认为二极管是理想的。二极管的恒压源模型uDiDUD(on)uD=UD(on)0.7V(Si)0.2V(Ge)5.二极管电路分析[例]硅二极管，R=2k，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出VDD=2V和VDD=10V时IO和UO的值。UOVDDIOR[解]二极管导通理想IO=VDD/R=1(mA)UO=VDD=2V恒压降UO=VDD–UD(on)=20.7=1.3(V)IO=UO/R=0.65(mA)VDD=2V时VDD=10V时理想IO=VDD/R=5(mA)恒压降UO=10

6、0.7=9.3(V)IO=9.3/2=4.65(mA)结论：VDD大采用理想模型VDD小用恒压降模型5.二极管电路分析[例]试求电路中电流I1、I2、IO和输出电压UO的值。[解]假设二极管断开UP=15VUP>UN二极管导通等效为0.7V的恒压源UO=VDD1UD(on)=150.7=14.3(V)IO=UO/RL=4.8(mA)I2=(UOVDD2)/R=2.3(mA)I1=IO+I2=4.8+2.3=7.1(mA)VDD1VDD2UORLR1kW3kWIOI1I215V12VPN5.二极管电路分析[例]选择二极管限流电阻RUIUVIV步骤：设定工作电压（如0.7V;2V

7、(LED);UZ）2.确定工作电流（如1mA;10mA;5mA）3.根据欧姆定律求电阻R=（UIUV）/IV（R要选择标称值）6.二极管应用单相半波整流RLuiuouiuott切换到EWB环境观察半波整流波形6.二极管应用桥式整流电路uO6.二极管应用桥式整流电路uO切换到EWB环境观察桥式整流波形6.二极管应用单向限幅电路切换到EWB环境观察波形5V二极管截止二极管导通6.二极管应用双向限幅电路切换到EWB环境观察波形6.二极管应用双向限幅电路两只反向并联的二极管