2010《半导体物理》期中试题解答

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1、《半导体物理》期中试题解答一、填空题纯净半导体的霍尔系数小于0。若一种半导体材料的霍尔系数等于0，则该材料的极性是P型。电子在各能量状态上的分布服从费米分布的半导体称为简并半导体，可以采用波尔兹曼分布近似描述的半导体称为非简并半导体。室温下本征Si的掺入杂质P后，费米能级向导带/Ec移动，若进一步升高温度，费米能级向Ei/本征费米能级/禁带中心能级/价带移动。半导体回旋共振实验用来测量载流子的有效质量。重掺杂通常会使半导体的禁带宽度变窄。金掺入半导体Si中是一种深能级杂质。7.电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同

2、的几率相同。8.硅的晶体结构和能带结构分别是金刚石型和间接带隙型。二、选择题在常温下，将浓度为1014/cm3的As掺入Si半导体中，该半导体中起主要散射作用的是C。杂质散射光学波散射声学波散射多能谷散射下列哪个参数不能由霍尔效应实验确定C。迁移率载流子浓度有效质量m*半导体极性重空穴指的是D。质量较大的原子组成的半导体中的空穴比电子质量大的空穴价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴半导体中载流子迁移率的大小主要决定于B。复合机构散射机构能带结构晶体结构若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是A。本征半导体杂

3、质半导体金属杂质化合物半导体6．以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的B。A.平方成正比B.3/2次方成反比C.平方成反比D.1/2次方成正比7.公式中的A、散射时间；B、寿命；C、平均自由时间；D、扩散系数。是载流子的C。8.对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致D靠近Ei；A、Ec;B、Ev;C、Eg;D、EF。9.当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的C倍；A、1;B、1/2;C、1/3;D、1/4.10.在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3,磷为1015cm-3，则该半导体

4、为B半导体；其有效杂质浓度约为E。A.本征;B.n型;C.p型;D.1.1×1015cm-3;E.9×1014cm-3三、设半导体有两个价带，带顶均在k=0处且能量相等，带顶空穴有效质量有以下关系：，试定性画出两者的E-k关系图。EkE1：重空穴E2：轻空穴四、分析化合物半导体PbS中S的间隙原子是形成施主还是受主？S2-PbSSPbSPb2+SPbS2-S的间隙原子由于电负性大，容易获取电子，形成负电中心，充当受主五、1）计算下面两种材料在室温下的载流子浓度：（1）掺入密度为1014/cm3B的锗材料；（2）掺入密度为1014/cm3B

5、的硅材料。2）制作一种p-n结需要一种P型材料，工作温度是室温（300K）,试判断上面两种材料中哪一种适用，并说明理由。（在室温下，硅：ni=1.5×1010/cm3锗：ni=2.4×1013/cm3）解：1）掺入锗：ni/NA=24%，故该P型材料处于过渡区掺入硅：ni<

6、载流子浓度(多子n)随温度的变化情况ECEDEiTEF弱电离区强电离区过渡区本征区N型半导体费米能级随温度的变化情况七、室温下，在元素半导体Si中掺入1016/cm3P后，半导体为哪种极性半导体？P元素是施主还是受主？此时半导体的多数载流子和少数载流子分别是什么？浓度分别是多少？(室温下，Si的ni=1.5×1010/cm3)。半导体为N型半导体；P元素是施主；多子是电子，空穴是少子；室温下，ND=1016/cm3>>ni=1.5×1010/cm3半导体处于饱和电离区八、试论证非简并半导体在热平衡时载流子浓度积与杂质浓度无关，而与禁带宽度有关

7、。非简并半导体在热平衡时载流子浓度：浓度积而Nc、Nv均与杂质浓度无关，故浓度积只与禁带宽度Eg有关。九、一个晶格常数为a的一维晶体，其电子能量E与波矢k的关系是：讨论在这个能带中的电子，其有效质量和速度如何随k变化。设一n型半导体导带电子的有效质量为m*n=mo,试证明在300K时，使得费米能级EF=(EC+ED)/2的施主浓度为ND=2NC。（设此时的施主的电离很弱，按非简并情况处理）证明：在非简并条件下：又，，由电中性条件得到：n0=ND+所以有：当电离很弱时，即如果要求使得得证。有一硅样品在温度为300k时，施主与受主的浓度差N

8、D-NA=1014cm-3,设杂质全部电离，已知该温度下导带底的有效状态密度NC=2.9×1019cm-3，硅的本征载流子浓度ni=1.5×1010cm-3,求样品