欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:38559031
大小:1.56 MB
页数:48页
时间:2019-06-14
《ewnergy9薄膜淀积技术》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、薄膜淀积技术半导体工艺中所涉及的常用薄膜:Evaporation(蒸发)Sputtering(溅射)使用加热、等离子体或紫外线等各种能源,使气态物质经化学反应(热解或化学合成)形成固态物质淀积在衬底上的方法,叫做化学汽相淀积(ChemicalVaporDeposition)技术,简称CVD技术。它与真空蒸发和溅射技术并列,是应用较为普遍的一种薄膜淀积技术。特点:1、淀积温度低;2、可以淀积各种电学和化学性质都符合要求的薄膜;3、均匀性好;4、操作简便,适于大量生产;CVD技术:CVD的化学反应大致分为两种类型:一是一种气态化合物在一定激活能量
2、下被分解,生成固态物质淀积在衬底上,而其它则为气态物质跑掉,如:SiH4Si+2H2另一类是两种气体化合物经化学反应生成新的固态物质和气态物质,如:3SiH4+4NH3Si3N4+12H2CVD的分类:可按淀积温度,反应腔气压或淀积反应的激活方式分类—低温CVD(200-500°C)—中温CVD(500-1000°C)—高温CVD(1000-1300°C)—常压CVD—低压CVD—热CVD—等离子体CVD—光CVD等等热CVD系统:等离子体CVDMolecularBeamEpitaxy(MBE)分子束外延技术MBE自1960年开始就有人提出,
3、是一种超精密和极精确的薄膜生长技术。其利用的是蒸发原理,将分子束射至单晶衬底上生长单晶外延层的方法。MBE的特点:?超高真空;设备中外延生长室真空度可达5x10-11Torr,这样分子平均自由程L较大。例如:P=10-9Torr,L=5x106cm。这样大的自由程使分子碰撞几率很小,薄膜生长均匀,生长速率和组分可精确控制。可以实现低温过程;这样能减少杂质扩散和沾污的几率。利用MBE技术可生长出位错密度<102cm-2的外延层。原位监控;MBE设备上安装有许多原位监控仪器,可以实时监控外延薄膜的生长参数以及物理性能。(UHV=UltraHigh
4、Vacuum)PhotolithographyLithographyistheprocessinwhichamicroelectronicspatternsaretransfertoasubstrate.Thistransfercanbeaidedbylight,electron-beams,ionbeams,x-rays,etc.Withoutthetechniquesofpatterndefinition,thefabricationofmultipledevicesononesemiconductorwouldbeimpossible.
5、AlthoughthetechniquesofpatterndefinitionseemsimpletheyaretheheartofmodernICfabrication.半导体器件制作PhotoresistPhotolithographyisaprocessinwhichwaferiscoatedwithalightsensitivepolymercalledphotoresist.Polyisopreneisanexampleofacommonlyusedphotoactiveagent.Amaskisusedtoexposeselec
6、tedareasofphotoresisttoUVlight.TheUVlightinducespolymerizationintheexposedphotoresist.UVcausesittocrosslinkrenderingitinsolubleindevelopingsolution.Suchaphotoresistiscalledapositivephotoresist.Anegativephotoresistshowsanoppositebehavior.ThatisexposuretoUVmakesthephotoresist
7、solubleindevelopingsolution.!Remember:Therearetwotypesofphotoresist:*NEGATIVE-unexposedareasremoved*POSITIVE-exposedareasremovedNegativeresististhemostoftenusedbecauseitislessaffectedbyetchantsalthoughpositiveresistoffersbetterresolution.Positiveresistsaremorecapableofprodu
8、cingthesmallsizeofmoderndevicefeatureswhicharetypicallybelow1.0μmbutmaybeassmallas
此文档下载收益归作者所有