太阳电池用多晶硅片

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1、GB/T××××—××××发布中国国家标准化管理委员会中华人员共和国国家质量监督检验检疫总局XXXX-XX-XX实施XXXX-XX-XX发布太阳电池用多晶硅片multi-crystallinewaferforsolarcell（送审稿）GB/TXX—XXXX中华人民共和国国家标准ICSGB/TXX—XXXX前言本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）归口。本标准起草单位：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司本标准主要起草人：万跃

2、鹏唐骏游达段育红1GB/TXX—XXXX太阳电池用多晶硅片1　范围本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于铸锭多晶切片生产的太阳电池用多晶硅片。2　规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注明年代的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本适

3、用于本标准。GB191包装储运图示标志GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551硅单晶电阻率测定方法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T6619硅片弯曲度测试方法GB/T6621硅片表面平整度测试方法GB/

4、T14264半导体材料术语SEMIM6-1000太阳能光电池用硅片规范SEMIMF1535用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法3　术语定义、符号及缩略语GB/T14264确立的术语和定义适用于本标准。密集线痕：晶锭切割时，在硅片表面留下的密集型划痕。4　外形尺寸分类太阳电池用多晶硅片的规格系列见表1，在表1中未列出的尺寸规格要求由供需双方协商。表1　太阳电池用多晶硅片规格系列外形尺寸，mm125×125156×156硅片厚度，mm1601802002205　要求5.1　外观要

5、求5.1.1太阳电池用多晶硅片外观要求表面洁净，无沾污、色斑、目视裂纹、孔洞等目视缺陷；-5-GB/TXX—XXXX5.1.2太阳电池用多晶硅片表面不可以有深度＞0.5mm,长度＞1.0mm,整片＞2处且无V缺口的崩边缺陷；5.1.3太阳电池用多晶硅片表面不可以有深度＞0.5mm,长度＞0.5mm,整片＞2处的缺角缺陷；5.1.4太阳电池用多晶硅片表面不可以有深度＞0.5mm的边缘缺陷,并且边缘缺陷的累积长度应≤10cm；5.1.5太阳电池用多晶硅片表面允许存在长度1cm的范围内晶粒的数量≤10个。

6、1.1　尺寸规格要求太阳电池用多晶硅片的几何尺寸及公差应符合表2的要求,如用户有特殊要求时，由供需双方协商。表2太阳电池用多晶硅片几何尺寸及公差要求外形尺寸，mm±0.5倒角尺寸，mm1.5±0.5硅片厚度T，mm±10%TTV（总厚度变化）mm≤20%弯曲度bow，μm≤75相邻两边的垂直度°90°±0.25°单条线痕Ry值mmm≤15密集型线痕mm当Ry≤10mm时无总数量限制，当Ry＞10mm时硅片线痕数量应≤10条1.2　性能1.2.1　太阳电池用多晶硅片电阻率范围为0.5-3.0Ω·cm，

7、或由供需双方协商；其检测按GB/T1551或GB/T6616进行。1.2.2　导电类型:P型或由供需双方协商；其检测按GB/T1550进行。5.3.3氧含量：太阳电池用多晶硅片的间隙氧含量应小于1×1018atoms/cm3，或由供需双方协商；5.3.4碳含量：太阳电池用多晶硅片的代位碳含量应小于5×1017atoms/cm3，或由供需双方协商。2　试验方法2.1　太阳电池用多晶硅片的表面质量检验在430lx～650lx光强度的荧光灯或乳白灯下进行；2.2　太阳电池用多晶硅片的外形尺寸检验用游标卡尺

8、或相应精度的量具进行；2.3　相邻两边的垂直度检验用万能角尺或相应精度的量具进行；2.4　线痕深度取单条线痕最大处用表面粗糙度测试仪在垂直线痕左右5mm范围内测量该线痕的极差值（Ry），当存在多条线痕时应进行多次测量取最大值；6.5太阳电池用多晶硅片弯曲度检验按GB/T6619进行，或由供需双方协商；6.6太阳电池用多晶硅片厚度测量及TTV测量按GB/T6618进行；6.7太阳电池用多晶硅片电阻率检验按GB/T1551或GB/T6616进行；6.8太阳电池用多晶硅片导