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1、成都科技大学学报洲,”‘··教学研究,,,夕夕共发射极放大器的静态稳定性李兆孚具有最佳电路及合理工作点的放大器,其性能在工作过程中会受环境温度、电源电。,,医及元件参数变化等周素的影响由于晶体管对温度十分敏感当温度变化时晶体管、、,的集一基反向电流。。发射结电压犷电流放大倍数日都会随之变化这些参数的变化又集中地反映在集电极电流几的变化上。因此,几的稳定性是衡量放大器性能的一个重要指标、,,刀二则把看作及日的函数、、砚,犷二二日为了全面分析温度变化时几。、犷石和日随之变化使发生漂移的情况,对上式微分·口“犷
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3、口刀石厂口五,‘图固定偏置电路一犷,。口“、尹一。飞币一尺一二,,了和尸应选川小怜和增犬的阻值这样放大器的放匆为减小刀大倍数会降低,打太大,将使管子工作点接近截止区。因此固定偏置电路的静态稳定性太差,故应用极少集电极偏置电路的静态稳定性对图所示电路,可导出一犷,。日·刀。一二’寸车。。式才日日对上式求导礼。,乡日日。。一一一户十一‘、。口即日星决,日日刀一一灭。,犷弄万⋯下日式中,为共基电流放大倍数。为了求出口,将方程式中的十日用日近似代替后可得盯百。一厂。二十十。三。、只二刀以卫刀时琪马。十十。〕”〔日
4、口口叫乓厂”‘日‘厂杯凡‘鑫犷一成防毅少住·弓巴产今铁士一梦占图集电极偏置电路图分压式偏假电路图妇简化后的电路分压式电流负反馈偏置电路的静态稳定性利用代文宁定理将图电路简化为图电路后,可导出。一犷,二、旦丝日少土肚达止卫。不日万万,二石双丁日方程式与的形式相同。对式求导,得一︸,二曰︸日一。。尸尸日十石亏一一几丫刀厂亡日二竺昼一马环一尸十、二万日二互旦二二士。土至坦丝。旦生二心里江旦一〔。厂,卜日日列表。,表不同偏里电路的漂移系数及漂移电流二分℃一℃洛一口﹄︶、子,口、,,。一八、一︸一曰月一八月一口王。
5、口△△日△,口‘护巧电路形式牌,琳一固定锗一硅一硅一管一管一吧少竺⋯竺竺‘一一‘。、‘偏置,一集电极·一‘卫二卫旦生一⋯⋯偏置石而一而丽竺”·,竺·‘‘”·”摩”·‘,,。一。。一··分’玉式二⋯卫竺些。目偏置硅管石万石石二‘妥而几。。。。。竺·燮丽“生燮综土分析,分压式偏置电路具有良好的稳定性。在设计电路时,若使稳定因子摊后,管子日的分散性就不会对放大器的稳定性产生明显影响。故分压式偏置电路在匕二护线路中得到了广泛应用。进一步提高静态稳定性的方法对静态稳定性要求更高的放大器,可采用二极管、三极管或热敏元
6、件进行补偿。常。,二。。川的方法有硅管电路对△犷进行补偿锗管电路对△进行补偿图是对△夕进行补偿的硅管电路,图中为硅二极’〔‘,。。△犷二管利用其正向压降犷随温度的变化对进行补偿仿照前只述方沙,可求得有△犷。二补偿时电路的。公凡日一一。厂。一犷,户〕〔二盯丈不丁街扭二贾王,日〔刀二〕·。。。图尽对△犷补偿一·,卜,二的硅管电路日·,。。可,考虑到二极管与三极管同为硅竹认为犷、犷另外仍用上式可简乙为,石。一厂。,二。。日目,〔。二〕。二日日对式求异得一口一。二卜日日一日刀。。二￡舌、万二十矛万犷甲云下刀十、乃
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8、犷,补偿时,硅管电路中对稳定性影响最大的漂移电流、·,二,人。△犷由无补偿时的,降低到,这样电路曾的也山降到哪。因此,电路的稳定性得到进一步提高。。。。,图为对八进行补偿的锗管电路图中为锗二,。八。陀价利用其反向电流此随温度的变化对动往行补偿一仿照前述方法,可求得有△。。。补偿时电路的。厂下,一,、斤扩“一口〔产下护,岁二一。石巫李⋯厅。图对△补偿。·。二,二。。一刀口的锗管电路,夕,,可。。号虑到二极管与三极管同为锗管认为砚
