《微处理器系统结构与嵌入式系统设计》勘误表

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1、《微处理器系统结构与嵌入式系统设计（第二版）》勘误表说明：如发现有其它未收录的错误，敬请发送相关信息到yanboyu@uestc.edu.cn页数位置误正33倒数第3行应该首先将该存储单元的地址应该首先将该存储单元的地址经总经数据总线送入„„线送入„„正数第4行MDRMBR倒数第5行„„，要和内存相互配合„„，„„，处理器要和内存相互配合，某63某些中也包含有„„些处理器中也包含有„„图3-8下“2.处理器内各这一段和图3-9对应关系不是很好，建议同时参看图3-7和图3-8。模块间的互连”65正数第12行指令的执行步骤如图3-12所一条指令的执行步骤可能如图3-12示。所示。66正数第1

2、4行通常把指令周期分解为„„例如，可以把指令周期分解为„„81图3-29中存储单元地址（Rs）Start＋(Rs)连续处理n条指令时的时空图连续处理n条指令时的实际吞吐量88倒数第11行如图5.47(b)所示，则实际吞吐Tp为„„量Tp为„„连续处理n条指令时的时空图连续处理n条指令时的效率E为„„89正数第5行如图5.47(b)所示，则效率E为„„因此从主存储器中读取一个字因此从主存储器中读取一个字数据数据需要3个总线周期，第一需要2个总线周期，第一个周期104倒数第15行个周期从„„，第三个周期从„„，第二个周期在„„在„„122表4-7中第4行第一列0000（C/BE[3：0]信号的

3、取值）001022„IC、Microwire和CAN等；„„IC、Microwire和SPI等；„如127倒数第8行如SPI、RS232和RS485等。CAN、RS232和RS485等。SRAM完全由晶体管实现，其SRAM的基本存储单元是由MOS管136正数第3行基本存储单元是双稳态电路构成的双稳态电路，„„(c)双译码编址方式（其中M＝(c)双译码编址方式（其中M＝142图5-5n2n2，„„）2，„„）143正数第10行容量为64K单元（字）时容量为64K单元（位）时151正数第10行①A0～A16②A0～A14160图5-26见后附图1设cache的存取时间为tc„„在采用图5-30

4、结构时，设cache的存正数第6行取时间为tc„„163已知主存的存取时间为„„若采用图5-31结构，且已知主存的正数第8行存取时间为„„(a)位扩展（用16K×1bit的芯(a)位扩展（用64K×1bit的芯片扩展166图5-34片扩展实现„„）实现„„）表5-9下正数第3行4位可以为任意值„„16位可以为任意值„„171表5-10见后附表中红色字体图5-42芯片⑧未画见后附图正数第6行（注：本例中„„）应删除172表5-11见后附表中红色字体表5-12见后附表中红色字体习题5.1(7)„„，按字编址，„„(7)„„，若按字长编址，„„177(2)„„CPU在1µs内至少要访(2)„„C

5、PU最快在每个1µs内需要习题5.10存一次。„„访存一次。„„试问采用线选译码时需要多少试问采用线选译码时最多可以扩充习题5.11个2114存储芯片？多少片2114存储芯片？习题5.14图见后附图习题5.15图见后附图178习题5.16未给系统数据总线宽度增加：“该系统数据线宽度为16bits”(1)10018，10028，10038，„，11008(1)10018，10028，10038，„，11008习题5.17(2)10028，10048，10068，„，12008(2)10028，10048，10068，„，12008(3)10038，10068，10118，„，13008(3)

6、10038，10068，10118，„，13008185图6-7见后附图195图6-23见后附图正数第4行单位是波特/秒（Baud/s）单位是波特（Baud）213图6-47见后附图传送8位数据„„如图6-49所某异步串行通信传送8位数据45H时214例6.4示。信号线上的波形如图6－49所示。231表7-6最后一行„„能改变I位的状态„„能改变F位的状态240正数第2行指令书写格式：Rm，RRX指令书写格式：Rm，RRX#n/Rs执行指令后R0中的值为执行指令后R0中的值为243图8-90xA00000140xA0000018图8-16R8寄存器终值为0x0000000CR8寄存器终值应

7、为0xA000000C262图8-17R0、R2、R6、R8寄存器终值见后附图图8-18R8寄存器初值为0xA0000010R8寄存器初值应为0xA000000C2图8-20LDMFD使用示例图8-20LDMFA使用示例264图8-20SP寄存器终值为0x00000008SP寄存器终值应为0xA0000008277倒数第17行MICROMACRO278倒数第7行MICROMACRO280正数第17行AERAInit，„„