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1、CMOS射频集成电路设计课程项目唐长文提交期限:2009年8月6日，7日课程项目报告1.项目简介软件无线电(SoftwareDefinedRadio,SDR)射频芯片是将射频50MHz~6000GHz信道中的带宽0.2~40MHz的各种标准协议的有用信号直接下变频到零中频(或者低中频)一款射频模拟前端电路。该项目的最终目标是在保证信道性能的前提下减小片外元件的需求，达到CMOS工艺全集成。软件无线电射频芯片系统结构框图如下所示：芯片涉及到的主要核心模块有：宽带可变增益低噪声放大器、上/下变频混频器、第一级宽带频率综合器、第二级窄带频率综合器、抗叠混低通滤波器，可变增
2、益放大器，模数转换器等。12.系统芯片指标软件无线电射频芯片的性能指标如下：频率范围FrequencyRange50MHz~6000MHz信道带宽ChannelBandwidth0.2~40MHz射频输入信号范围RFInputSignalRange–110dBm~0dBm最大增益MaximumGain114dB最小增益MinimumGain4dB噪声系数NF@Max.Gain<4dB三阶交调量IIP3@RFLNAMax.Gain–10dBm二阶交调量IIP2@RFLNAMax.Gain+35dBm中频频率范围IFFrequencyRange零中频ZeroIF0.2~
3、20MHz中频信道选择性IFChannelSelectivity(40MHzBW)零中频ZeroIF,@40MHzOffset–60dB中频输出信号IFOutputSignalLevel,Differential500mVpp(+4dBm)I/Q匹配性–45dBc本振相位噪声LO1@10kHz,@1MHz,Quadraturegenerator–92dBc/Hz,–125dBc/HzLO2@10kHz,@1MHz,Quadraturegenerator–97dBc/Hz,–125dBc/Hz功耗Powerconsumption<96mW@1.2V2芯片面积Diesi
4、ze<9mm@90nmCMOS3.课程项目a)宽带可变增益低噪声放大器设计b)宽带正交上变/下变频混频器设计c)宽带正交输出的电感电容压控振荡器设计d)窄带正交输出的电感电容压控振荡器设计e)宽带频率综合器设计f)窄带频率综合器设计g)抗叠混低通滤波器与可变增益放大器设计h)模数转换器设计上述8个设计项目任选一个，独立完成电路级设计和仿真工作，撰写完整设计报告。设计报告包括：电路图，Testbench电路图，元器件参数，理论和原理分析，手工计算，性能仿真结果等。文档的整洁、排版格式、图中线条和文字的清晰度等占总分的20%。21、宽带可变增益低噪声放大器设计性能指标：
5、Inputimpedance50Ωover50~6000MHzbandsSingle-endinputOutputimpedanceNorequirementDifferentialoutputBandwidthApprox.50~6000MHzMinimuminputlevel–110dBmMaximuminputlevel0dBmVoltageGain30dBto–15dB,RFAGCrange:45dB4bits,AGCGainStep3dBIIP2>+35dBm@MaximumGainIIP3>–10dBm@MaximumGain>+30dBm@Minimu
6、mGainNoisefigure<3dBPowerConsumption<1.2V*10mA=12mW参考文献：2[1]V.Gianninietal.,“A2mm0.1-to-5GHzSDRreceiverin45nmdigitalCMOS,”ISSCCDig.Tech.Papers,pp.408-409Feb.2009.[2]J.Borremans,P.Wambacq,C.Soens,Y.Rolain,andM.Kuijk,“Low-areaactive-feedbacklow-noiseamplifierdesigninscaleddigitalCMOS,”IE
7、EEJ.Solid-StateCircuits,vol.43,pp.2422-2433,Nov.2008.[3]B.G.Perumana,J.-H.C.Zhan,S.S.Taylor,B.R.Carlton,andJ.Laskar,“Resistive-feedbackCMOSlow-noiseamplifiersformultibandapplications,”IEEETrans.Microw.TheoryTech.,vol.56,pp.1218-1225,May2008.[4]T.W.Kim,B.Kim,“A13-dBimprovedlow-powerCM
