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时间:2019-05-25
《(光学专业论文)超高密度近场光存储中对膜写入的分析与实验》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、大连理I:大学硕七学位论文摘要随着人类迈入网络化和数字化时代,信息技术已成为促进科技进步和社会发展的关键技术。在此情况下,光存储技术在信息社会中发挥着越来越重要的作用。本文对光存储领域的现状及其进展进行了比较详尽的介绍,并展望了超高密度光存储技术的发展趋势。信息技术的发展急需开发更高存储密度的光存储系统,由于近场光学存储在超高密度信息存储方面有着很大的发展潜力及应用前景,使其近年来得到了广泛的关注。本文重点阐述了近场光学存储的原理,总结了几种近场光学存储系统的研究进展,分析了各种方法的优势以及存在的问题。在此基础上,根据超高密度近场光存储前期专项的研究内容,设计了一种实现超高密
2、度近场光学存储的探针型方法一将集成的PD-VCSEL-Tip微型SNOM读写尖安装在原子力显微镜的微型弹力臂上,组成信息读写的系统,最终可以达到通过使用VCSEI肛筝列作为光源的集成读写尖,实现信息的高密度与高速度的读写。本文在现有的实验条件下,初步完成了近场光学存储的基础实验研究。研究内容包括:进行了VCSEL激光器的各项基本测试,分析了Ge—Sb-Te膜与GaAs微探针尖的特性,并且对VCSEL出射光通过各种方式照射到Ge-Sb一"re膜上使其表面发生的热效应进行了理论计算与模拟。本文设计了此种高密度探针型近场光学存储系统的分步实现方案,弗初步实现了VCSEL的出射光通过聚
3、焦对Ge-Sb—Te膜的读写。论文的最后指出了实现这种探针型近场光学存储的难点,并对以后的工作进行了展望。关键词:近场光存储;高密度;探针;VCSEL超高密度近场光存储中对膜写入的分析与实验Analysisandexperimentationofthefilmsinultra—higlldensitynear·fieldopticalstorageAbstraetWiththerapiddevelopmentofnetworkanddigitaltechnology,theinformationtechniquehasbecomeonekeypoint.Underthissit
4、uation,opticaldatastoragetechniquesareplayingamoreandnKl北importantrolehamodeminformationsociety.Thepresentstateanddevelopmentofthefieldoftheopticalstorageareintroduced,andthedevelopmenttrendofultra·highdensityopticalstorageisprospected.Inthepaper,newopticalstoragesystemwithhigherstoragedensi
5、tyandcapacityisurgentlyrequired.Near-fieldopticalstoragehassuchagreatpotentialandprospectinhi曲densitydatastoragethatgreatattentionhasbeenpaidtothenear-fieldstoragearoundtheworld.Inthispaper,theprincipleofnear-fieldopticalstorageisdescribedindetail.Severalsystemsofnear—fieldopticalstorageares
6、ummarized,andtheiradvantagesandproblemsareanalyzed.BaseOnthecontentofthefundofhighdensitynear-fieldstorage.asystemisproposedinwhichPD,VCSELandTipareintegratedandinstalled0nAFMcantilevertomakethesystemsimplified.Ultimately,highdensityandhighdatatransferrateareexpectedtoberealizedwithVCSELarra
7、ysaslasersource.Undercurrentexperimentcondition,earlyresearchesonn.ear-fieldopticalstoragealecompetedandintroducedinthepaper.Theresearcheshavebeendoneinclude:essentialparametersofVCSELaretested,thetopographyandopticalcharacteristicsoftheGe-Sb-Tefil
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