掺杂半导体纳米晶的制备、生长机理及光学特性研究

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1、研究了它们的光学性质。。⋯．．提出了一种新的合成路线，即“热循环．单前驱体法”，夹钼l务高质量的核／壳结构纳米晶．iiIi；寸该方法，制备了高发光效率、高颜色饱和度、近单分散、不含合金层并且稳定的蓝光CdS／zIls核／壳结构纳米晶。该方法不仅简化了核／壳结构纳米晶的制备方法，而且大大提高了纳米晶的光学性能，为纳米晶的大规模生产提供了可能。建立了一个定量的刻蚀法，深入地研究cds／Zns纳米晶沿粒子径向的元素分布，证实了纳米晶的核／壳结构，该方法也可以作为一个通用的技术手段定量分析各类核／壳结构纳米晶的内部结构。采用成核掺杂和生长

2、掺杂路线，合成了高质量的Cu：ZnSe和Mn：Znse掺杂纳米晶；研究了掺杂纳米晶的光学性质，研究了壳层厚度和环境温度对掺杂纳米晶荧光量子产率的影响。系统研究了半导体纳米晶掺杂中与温度相关的掺杂机理，揭示了在半导体纳米晶的掺杂过程中，一般至少包含四秘个独立的过程，它们分别是“表面吸附”、“晶格替代”、“晶格扩散”和“晶格排斥”，每个过程有各自的反应临界温度。进行成功掺杂的一个非常重要的因素是恰当地控制反应的温度，控制“晶格扩散”的程度，避免“晶格排斥”过程的发生。以cdse为例子，研究了半导体纳米晶的色度学特性，通过理论计算讨论了

3、CdSe纳米晶粒径分布范围对其发光饱和度的影响。采用两种不同粒径的CdSe纳米晶配制出白光样品，提出了估计配色样品色度坐标的经验公式，对配色样品色度坐标的理论估计值与实验结果进行了比较和分析。探讨性地研究了半导体纳米晶LED在多彩显示和白光照明中的应用。关键词：半导体纳米晶，“绿色化学”路线，核／壳结构，“热循环．单前驱体法”，掺杂机理，色度学，固态显示与照明AbstractConoidal∞miconductor脑nocUstals(NCs)havebe∞emhuSiaSticalIyexploitedmostlybecau辩o

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