具有表面周期性微结构的led垂直结构功率芯片制备

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时间:2019-03-17

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1、#讀;f^乂《SouthChinaUniversitofTechnoloygy硕:t学位论文具有表面周期性微结构的LED垂直结构功率巧片制备作者姓名刘丽学科专业光学指导教师王洪教授胡晓龙助理研究员所在学院物理与光电学院论文提交日期2016年4月High-powerGaN-basedVertical-structureLEDswithPeriodicSurfaceMicrostructureADissertationSubmitte

2、dfortheDegreeofMasterCandidate:LiuLiSupervisor:Prof.WangHongSouthChinaUniversityofTechnologyGuangzhou,China*ThisworkwassupportedbytheNationalHighTechnologyR&DProgram(“863”Program)(2014AA032609),theStrategicEmergingIndustrySpecialFundsofGuangdongProvince(2012A0

3、80302003,2012A080304015),andTheKeytechnologiesR&DProgramofGuangdongProvince(2014B010119002).:10561分类号:学校代号学号:201320121561华南理工大学硕±学位论文具有表面周期性微结构的LED垂直结构功率巧片制备作者姓名:刘丽指导教师姓名、职称:王洪教授:申请学位级别:理学硕±学科专业名称光学研巧方向;光通信网络与器件?《:曰:(^月论文提交曰期;年个月>曰论文答辩曰期

4、;衫年^学位授予单位:华南理工大学学位授予日期:年月日答辩委员会成员:斗试互、主席:\委员:《接,碱炎*0MAA032609广东省战略性新兴产业专项基金项目:国家高技术研究发展计划巧63计划)项目口),资金LED项目(2012A080302003,2012A08030401巧的资助,此及广东省前沿与关键技术创新专项资0!金重大项目口1他01011900巧的资化特此致谢iI华南理工大学学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所

5、不包含任取得的研究成果。陈了文中特别加y■标注引用的内容外,本论文何興他个人或集体己经发表或撰写的成果作品。对本文的研巧做出重要贡献的个人和集体,巧己在文中LJA明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承捆。作者签名:列兩日期:年6月9日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定。,即:研巧生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位厲华南理工大学学校有权保存并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和电子版,允许学位论文被造阅(輸在保密期

6、内的保密论文外);学校可^以公布学位、汇论文的全部或部分内容,可W允许采用影印、缩印或其它裳制手段保存编学位一论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相致。本学位论文属于:□保密,(校化密委员会审定为涉密学位时间:__年__月__白)于^年??月__日解密后适用本授权书。!??不保密,同意在校园网上发布,供校内师化和与学校有巧寧协议全的单位浏览;同愈将本人学位论文提交中國学术朋刊(化盘版)电子杂志社文出版和编入CNKI《中国知识资源总库》,传播学位论文的全部或部分内容。"V"

7、(请在相应方框内打)swb’tKl作者签名:列雨、日期:指导教师签名日期反1^)作者联系电话电子邮箱:联系地址(含邮编);摘要GaN基垂直结构LED芯片相对传统结构LED芯片具有出光面积大,散热性能好,电流扩展均匀等优点,更加适用于大功率固态照明光源,是LED照明发展的一个重要方向。然而垂直结构LED芯片的制备工艺更加复杂,本文在完善垂直结构LED芯片制备工艺的同时,对垂直结构LED芯片的结构进行设计,对芯片出光面N极性的氮化镓层表面结构进行研究,对垂直结构LED芯片的表面n型电极结构进行优

8、化,最终获得高效大功率的垂直结构LED芯片。针对光在空气/n-GaN界面处的菲涅尔反射、全反射引起光子损耗,从而限制垂直结构LED芯片出光效率的问题,利用N极性面GaN出光面易被KOH溶液刻蚀而改变表面结构的特点,以KOH溶液为刻蚀液,分别对普通表面GaN基垂直结构LED芯片和具有表面周期性微结构的芯片进行N极性面GaN的表面结构优化研究。在刻蚀普通表面N极

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