欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:34984881
大小:18.56 MB
页数:59页
时间:2019-03-15
《sb_2s_3薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、:7分类编号:单位代码1016:密级:学号2014130002渤淼大縻硕士学位论文Sb2S3薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用论文题目:PrearationofAntimonSulfideThinFilmsandpyTheirAlicationinSolarCellspp作者姓名:谭森指导教师:张丽娜副教授专业名称:凝聚态物理研究方向:材料方向学院年级:新能源学院2014级完成日期2017:年6月渤海大学研究生学院原创性声明导下进行的研宄工作和取得本人郑重承诺:所
2、呈交的硕士学位论文是本人在导师指,本论文不包含其他个人或集体的研宄成果。尽我所知,除了文中己经注明引用的内容外f均已在文中以己经发表或撰写过的研宄成果。对本文的研宂做出重要贡献的个人和集体明的法律结果由本人承担。明确方式标明。本人完全意识到本声论文作者签名1聲I日期:>W7年6/円>关于硕士论文使用授权的说明?学位论文作者完全了解渤海大学有关保留、使用学位论文的规定,即.研宄生在校攻读学位期间进行论文工作的知识产权单位属于渤海大学.渤海大学有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许学位论文被查阋和借阅。本文作者授权渤海大学
3、可以公布学位论文的全部或部分内容,可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库并进行检索,可以采用影印、缩印、扫描或其它复制手段保存、汇编学位论文(保密的学位论文在解密后遵守此规定)。保密口,在年解密后适用本授权书。本论文属于“不”保密kU适用本授权书。(请在□内打V)论文作者签名:指导教师签名:曰期:w?!?年6月曰曰期:>/?年/月曰0Sb2S3薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用[摘要]硫化锑(Sb2S3)是一种V-Ⅵ族硫化物半导体,毒性低且价格便宜。Sb2S3吸5-1光系数(α≈10cm)较高,带隙宽度(1.5-2.2eV)适
4、中,覆盖了大部分可见光光谱,因此被视为最有希望得到广泛应用的太阳能电池材料之一。目前,Sb2S3薄膜大多作为吸收层或过渡层应用于有机-无机杂化太阳能电池,已获得了7.5%的光电转换效率。其制备方法主要为化学浴沉积法,但该方法得到的多为非晶态或颗粒膜,存在较多缺陷,限制其效率的进一步提高。因此开发一种晶化良好、结构新颖且简单低耗的Sb2S3薄膜的制备方法对探索其太阳能电池应用具有重要意义。本文采用简单的水(溶剂)热方法在ITO衬底上制备结晶质量良好、形貌新颖的Sb2S3薄膜,并组装了Sb2S3薄膜太阳能电池。具体内容如下:(1)细胞状Sb2S3薄膜的制备及其光电性能研究。采用溶
5、剂热法使用乙醇和去离子水混合溶液作为溶剂,结合热处理过程制备Sb2S3薄膜。分析了反应时间、温度以及醇水比例等条件对薄膜晶体结构及形貌的影响,并探讨了薄膜的生长机理。研究结果表明,Sb2S3薄膜的带隙宽度为1.6~1.7eV,在可见光范围内具有良好的光吸收性能;光电化学测试结果也显示Sb2S3薄膜具有优良的光电特性,适宜作为太阳能电池材料。(2)网状Sb2S3薄膜的制备和Sb2S3/PbS薄膜太阳能电池性能研究。本文采用简单的一步水热反应过程在ITO衬底制备网状Sb2S3晶体薄膜。Sb2S3带隙值约为2.2eV。对不同反应阶段的样品结构及形貌进行表征分析,探讨薄膜的生长机理。
6、研究结果表明反应温度和时间均影响网状薄膜的形成,PVP-K30可以控制反应速率和促进薄膜的取向生长,对网状薄膜形成起到关键作用。在此基础上,组装的Sb2S3/PbS薄膜太阳能电池结构简单、稳定性较好,光电转换效率为0.025%。[关键词]:纳米材料;硫化锑薄膜;水(溶剂)热法;太阳能电池IPREPARATIONANDPHOTOELECTRICPROPERTIESOFANTIMONYSULFIDETHINFILMSABSTRACTSb2S3isaV-VIsulfidesemiconductorwithlowtoxicityandlowprice.Itisoneofthemost
7、promisingmaterialsforthinfilmsolarcellsapplication,becauseithasastrongabsorption5-1coefficient(α≈10cm),andcontrollablebandgap(about1.5-2.2eV)coversthevisibleandnearIRrangeofthesolarenergyspectrum.itisconsideredthemostpromisingwidelyusedsolarcellmaterials
此文档下载收益归作者所有