体硅FinFET器件单粒子瞬态若干关键影响因素研究.pdf

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1、分类号TN386.1学号13069063ＵＤＣ密级公开工学博士学位论文体硅FinFET器件单粒子瞬态若干关键影响因素研究博士生姓名于俊庭学科专业电子科学与技术研究方向微纳电子器件与电路指导教师郝跃教授协助指导教师陈书明教授国防科学技术大学研究生院二〇一七年四月论文书脊体硅FinFET器件单粒子瞬态若干关键影响因素研究国防科学技术大学研究生院ResearchonSeveralInfluencingfactorsofSingleEventTransientinBulkFinFETDevicesCandidate：YuJuntingSupervisor

2、：Prof.HaoYueAssistantSupervisor：Prof.ChenShumingAdissertationSubmittedinpartialfulfillmentoftherequirementsforthedegreeofDoctorofEngineeringinElectronicScienceandTechnologyGraduateSchoolofNationalUniversityofDefenseTechnologyChangsha，Hunan，P.R.ChinaApril，2017国防科学技术大学研究生院博士学位论

3、文目录摘要...............................................................................................................xvAbstract...........................................................................................................xvii第一章绪论..................................

4、....................................................................11.1课题研究背景...................................................................................................11.1.1单粒子效应是空天应用集成电路失效的主要因素..........................11.1.2单粒子瞬态研究需求日趋紧迫...........................

5、...............................31.1.3FinFET工艺下器件单粒子瞬态研究正在成为国际热点和难点.....61.2国内外相关研究现状与不足.........................................................................81.2.1FinFET单粒子瞬态的产生机理.........................................................81.2.2FinFET单粒子瞬态效应的相关研究.............

6、..................................111.3本文主要研究内容.......................................................................................151.4本文组织结构...............................................................................................17第二章FinFET与传统平面器件SET对比研究...........

7、...................................192.1引言...............................................................................................................192.2相关研究与不足...........................................................................................192.3器件结构和模拟设置......

8、....................................................................