低温回流高温服役ag-in体系tlp钎料的制备与研究

低温回流高温服役ag-in体系tlp钎料的制备与研究

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时间:2019-03-09

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1、硕士学位论文低温回流高温服役Ag-In体系TLP钎料的制备与研究RESEARCHONSILVER-INDIUMTLPSOLDERPREPARATIONFORLOW-TEMPREFOLWINGANDHIGH-TEMPSERVICE李准哈尔滨工业大学2016年12月万方数据国内图书分类号:TG113.25学校代码:10213国际图书分类号:654.721密级:公开工程硕士学位论文低温回流高温服役Ag-In体系TLP钎料的制备与研究硕士研究生:李准导师:陈宏涛副教授申请学位:工程硕士学科:材料工程所在单位:深圳研究生

2、院答辩日期:2016年12月授予学位单位:哈尔滨工业大学万方数据ClassifiedIndex:TG113.25U.D.C:654.721DissertationfortheMaster’sDegreeofEngineeringRESEARCHONSILVER-INDIUMTLPSOLDERPREPARATIONFORLOW-TEMPREFOLWINGANDHIGH-TEMPSERVICECandidate:LiZhunSupervisor:AssociateProf.ChenHongtaoAcademicDe

3、greeAppliedfor:MasterofEngineeringSpeciality:MaterialsEngineeringAffiliation:ShenzhenGraduateSchoolDateofDefence:December,2016Degree-Conferring-Institution:HarbinInstituteofTechnology万方数据摘要摘要随着电子器件的服役环境越来越复杂,用于高温、高频、大功率等极端环境的芯片日益突出其重要性,这对芯片的连接材料提出了更高的要求,它要求连

4、接材料能在高温环境下长期稳定可靠地工作。同时,在电子封装领域,随着芯片的互联密度和功率密度的不断提高,芯片本身产生的热量也越来越高,也需要耐高温的连接材料。为了更好地与实际封装工艺相匹配,避免器件损伤,还要求封装温度和压力不宜过高。目前开发的可在低温下形成连接,高温环境下服役的连接技术主要有纳米银烧结法、固-液互扩散连接法、瞬态液相烧结法和纳米多孔金属热压键合法,各有不足之处。本课题旨在探索能够满足“低温回流,快速反应、高温服役”三项要求的Ag-In体系TLP新型钎料。课题首先制备Ag@In核壳结构金属粉作为钎

5、料,金属粉以Ag为内核,In为壳层,在200℃下回流时,In壳层熔化形成连接并与Ag内核发生固-液互扩散生成金属间化合物,最终形成金属间化合物中分散Ag核的焊缝结构,其组成具有很高的熔点,能够在高温下服役。本课题使用化学镀法制备Ag@In核壳结构金属粉,尝试以不同的配方镀覆3μm和30μm两种粒径的球形Ag粉,探究In镀层厚度与In3+浓度和镀覆次数的关系,制备出满足要求的核壳结构金属粉。此外,本课题基于泡沫多孔Ag与微纳尺寸Ag粉都拥有超大比表面积的特点,可以保证足够大的固液接触面积使固液互扩散快速完成,尝试

6、通过丝网印刷的方式将自制In膏印刷到孔隙尺寸为20μm的泡沫Ag上,然后回流,使液态In利用毛细作用填充泡沫Ag,制成泡沫Ag-In钎料片。课题将上述制备的两种钎料进行了焊接实验,并对形成的焊缝进行了比较与表征,两者均满足“低温回流,快速反应,高温服役”的要求。Ag@In核壳结构金属粉的使用方式是将其压制成预制片再进行焊接,包覆In量厚的预制片形成的焊缝性能较好,但由于化学镀自身的限制以及球形结构的特点,不可避免的出现裂纹和孔洞。使用泡沫Ag-In钎料片焊接,得到的焊缝由三维网状Ag骨架和金属间化合物组成,质量

7、良好,性能优异。关键词:功率器件;芯片粘接;TLP;核壳结构;泡沫结构I万方数据AbstractAbstractWiththewideuseofelectronicdevicesinthemorecomplexserviceenvironment,high-temperature,high-frequencyaswellaspowerchipswithcapabilityofservingunderextremeconditionsbecomemoreandmoreimportant.Ithasbroughta

8、greatchallengeforsoldertoservewithlong-termreliabilityunderhightemperature.Besides,theheatgeneratedbythechipitselfbecomesmuchhigherwiththeincreaseofinterconnectdensityandpowerdensity,whichmakesi

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