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时间：2019-03-09
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1、半导体物理学第一章习题(公式要正确显示，请安装字体MTextra)1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）52.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。矚慫润厲钐瘗睞枥庑赖。解：根据：得补充题1分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面
2、内原子的位置和分布图）聞創沟燴鐺險爱氇谴净。Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：5（a）(100)晶面（b）(110)晶面（c）(111)晶面补充题25一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求（1）布里渊区边界；（2）能带宽度；（3）电子在波矢k状态时的速度；（4）能带底部电子的有效质量；（5）能带顶部空穴的有效质量解：（1）由得（n=0，±1，±2…）进一步分析，E（k）有极大值，时，E（k）有极小值所以布里渊区边界为(2)能带宽度为(3）电子在波矢k状态的速度（4）电子的有效质量能带底部所以(5)能带顶部，且
3、，5所以能带顶部空穴的有效质量5
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