纳米蒙脱土的制备及在超高分子量聚乙烯中的应用

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1、维普资讯http://www.cqvip.com第28卷第5期青岛科技大学学报(自然科学版)VoI.28No.52007年1O月JournalofOingdaoUniversityofScienceandTechnology(NaturalScienceEdition)Oct.2007文章编号:1672—6987(2007)05—0418—05纳米蒙脱土的制备及在超高分子量聚乙烯中的应用石宁,于元章。,王庆昭,倪礼忠,郑安呐(1华东理工大学材料学院,上海200237;2齐鲁石化公司研究院,山东淄博2554003山东理工大学,山东淄博255000;4山东科技大学,山东青岛

2、266510)摘要:采用插层聚合方法,用苯乙烯(ST)、丙烯酰胺(AM)、甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(DMC)等单体,对蒙脱土进行了层问改性,并与聚合物共混挤出制备了纳米复合材料。通过X射线衍射仪、转矩流变仪、红外光谱仪等仪器,对改性蒙脱土的层间结构进行的表征可知,随着单体插层、层间聚合、熔融共混的进行,蒙脱土的层间距从1.470nm逐渐增大至2.643nm,最终消失,表明蒙脱土发生了层问剥离,与子聚合物形成了纳米复合材料;改性前后蒙脱土的红外谱图在1465~1440cm和2910~2830cm处的特征峰发生了明显的变化,这从分子结构上证明了蒙脱土的改性。同时比较了添

3、加不同改性蒙脱土的超高分子量聚乙烯的扭矩变化,3种单体改性的蒙脱土均能有效降低聚合物扭矩,其中苯乙烯单体插层聚合改性的蒙脱土对聚合物体系扭矩影响最大。关键词:蒙脱土;插层聚合;层间距;扭矩:超高分子量聚乙烯中图分类号:TQ325.1文献标识码:APreparationofNano-montmorilloniteandItsApplicationinUHMWPEs、SHINing’。,YUYuan-zhang。,WANGQing-zhao4,NILi—zhong,ZHENGAn—na(1.CollegeofMaterialsScienceandEngineering,Ea

4、stChinaUniversityofTechnology,Shanghai200237,China;2.ResearchInstituteofQiluPetrochemicalCo.,Zibo255400,China;3.DepartmentofMaterialsScienceandEngineering,ShandongUniversityofScienceandTechnology,Zibo255000,China;4DepartmentofMaterialsScienceandEngineering,ShandongPolytechnicUniversity,Q

5、ingdao266510,China)Abstracts:Byintercalationpolymerizationwithstyrene(ST),acrylamide(AM),meth~ylacrylamidetrimethylammoniumchloride(DMC)monomer,alayerofmontmorillon~itewasmodified,andthepolymerblendnanocompositeswerepreparedbyanextrusionmethod,UtilizingX—raydiffraction,torquerheometer,in

6、fraredspectrometerandotherinstruments.themodifiedmontmorillonitelayerstructurewascharacterized.There~sultsshowedthatasmonomerintercalation,layerpolymerization,andmeltblendingwerefulfilled,themontmorilloniteinterlayergraduallyincreasedfrom1.470to2.643nm,ultimatelydisappeared.Itindicatedth

7、atthedissectionofmontmorilloniteinterlay~ersoccurred,andaformationofpolymernano—composites.Theinfraredspectrumofthemodifiedmontmorilloniteillustratedinacharacteristicpeakinasignificantchangebe~tween1465~1440em~and2910to2830em_。.Theresultprovedthatthemontmo~rillonitewasmod

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