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时间:2019-03-07
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1、半导体物理习题解答1-1.(P32)设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为:22222222hkh(k−k1)hk3hkEc(k)=+和Ev(k)=-;3mm6mm0000m0为电子惯性质量,k1=1/2a;a=0.314nm。试求:①禁带宽度;②导带底电子有效质量;③价带顶电子有效质量;④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。[解]①禁带宽度Eg22dEc(k)2hk2h(k−k1)根据=+=0;可求出对应导带能量极小值Emin的k值:dk3mm003kmin=k,14h2由题中EC式可得:Emin=EC(K)
2、k=km
3、in=k;14m0由题中EV式可看出,对应价带能量极大值Emax的k值为:kmax=0;2222h2k1hk1h并且Emin=EV(k)
4、k=kmax=;∴Eg=Emin-Emax==26m12m48ma000−272(6.62×10)==0.64eV−28−82−1148×9.1×10×(3.14×10)×1.6×10②导带底电子有效质量mn22222dEC2h2h8h2dEC3=+=;∴mn=h/=m20dk23mm3mdk8000③价带顶电子有效质量m’222dEV6h'2dEV1=−,∴m=h/=−m2n20dkm0dk6④准动量的改变量33hh△k=h(kmin-
5、kmax)=hk=[毕]148a1-2.(P)晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别计算电子自能带33底运动到能带顶所需的时间。dkh[解]设电场强度为E,∵F=h=qE(取绝对值)∴dt=dkdtqE11thh1∴t=∫dt=∫2adk=代入数据得:00qEqE2a-34−66.62×108.3×10t==(s)−19−102×1.6×10×2.5×10×EE当E=102V/m时,t=8.3×10-8(s);E=107V/m时,t=8.3×10-13(s)。[毕]3-7.(P)①在室温下,锗的有效状态密度Nc=1.05×1019
6、cm-3,Nv=5.7×1018cm-3,试求锗的载流子有81效质量m**n和mp。计算77k时的Nc和Nv。已知300k时,Eg=0.67eV。77k时Eg=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77k,锗的电子浓度为1017cm-3,假定浓度为零,而Ec-ED=0.01eV,求锗中施主浓度ND为多少?[解]①室温下,T=300k(27℃),k0=1.380×10-23J/K,h=6.625×10-34J·S,对于锗:Nc=1.05×1019cm-3,Nv=5.7×1018cm-3:﹟求300k时的Nc和Nv:根据(3-18)式:21923h2(Nc)3(6.
7、625×10−34)2(1.05×10)32(2π⋅m*kT)2n0*22−31Nc=⇒m===5.0968×10Kg根据(33n−23h2π⋅kT2×3.14×1.38×10×3000-23)式:218232Nv−3425.7×10332(2π⋅m*kT)2h()(6.625×10)()p0*22−31Kg﹟求77k时Nv=⇒m===3.39173×103p−23h2π⋅k0T2×3.14×1.38×10×300的Nc和Nv:32(2π⋅m*kT')2n0'333Nch3T'2'T'7721919==();N=()2N=()×1.05×10=1.365×103ccNTT3
8、00c2(2π⋅m*kT)2n03h同理:33'T'27721817N=()N=()×5.7×10=7.41×10vvT300﹟求300k时的ni:12Eg19180.6713n=(NcNv)exp(−)=(1.05×10×5.7×10)exp(−)=1.96×10i2kT0.0520求77k时的ni:1−192Eg19180.76×1.6×10−7n=(NcNv)exp(−)=(1.05×10×5.7×10)exp(−)=1.094×10②77ki−232kT2×1.38×10×770时,由(3-46)式得到:Ec-ED=0.01eV=0.01×1.6×10-19;T=7
9、7k;k0=1.38×10-23;n0=1017;Nc=1.365×1019cm-3;2Ec−E-19[nexp(D2170.01×1.6×1020)]×2[10×exp()]×22kT−2302×1.38×10×7716N===6.6×10;[毕]D19Nc1.365×103-8.(P82)利用题7所给的Nc和Nv数值及Eg=0.67eV,求温度为300k和500k时,含施主浓度ND=5×1015cm-3,受主浓度N=2×109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少?A[解]1)T=300k时,对于锗:N=5×101
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