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时间:2019-03-06
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1、课后答案网www.khdaw.com半导体物理习题解答1-1.(P32)设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为:22222222hkh(k−k)1hk3hkEc(k)=+和Ev(k)=-;3mm6mm0000m0为电子惯性质量,k1=1/2a;a=0.314nm。试求:①禁带宽度;②导带底电子有效质量;③价带顶电子有效质量;④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。[解]①禁带宽度Eg22dEc(k)2hk2h(k−k1)根据=+=0;可求出对应导带能量极小值Emin的k
2、值:dk3mm003kmin=k,14h2由题中EC式可得:Emin=EC(K)
3、k=kmin=k;14m0由题中EV式可看出,对应价带能量极大值Emax的k值为:kmax=0;2222hkhkh211并且Emin=EV(k)
4、k=kmax=;∴Eg=Emin-Emax==26m012m048m0a−272.6(62×10)==0.64eV−28−82−1148×1.9×10×.3(14×10)×6.1×10②导带底电子有效质量mn22222dEC2h2h8h2dEC3=+=;∴mn=h/=m20dk23mm3mdk80
5、00③价带顶电子有效质量m’222dEV6h'2dEV1=−,∴m=h/=−m2n20dkmdk60④准动量的改变量33hh△k=h(kmin-kmax)=kh=148a[毕]271-2.(P33)晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加10V/m,10V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。dkh[解]设电场强度为E,∵F=h=qE(取绝对值)∴dt=dkdtqE课后答案网www.khdaw.com1thh1∴t=∫dt=∫2adk=代入数据得:00qEqE2a-34−6.662×103.8×10
6、t==(s)−19−102×6.1×10×5.2×10×EE2-87-13当E=10V/m时,t=8.3×10(s);E=10V/m时,t=8.3×10(s)。[毕]19-318-33-7.(P81)①在室温下,锗的有效状态密度Nc=1.05×10cm,Nv=5.7×10cm,试求锗的载流子有**效质量mn和mp。计算77k时的Nc和Nv。已知300k时,Eg=0.67eV。77k时Eg=0.76eV。求这两个温度时锗17-3的本征载流子浓度。②77k,锗的电子浓度为10cm,假定浓度为零,而Ec-ED=0.01eV,求
7、锗中施主浓度ND为多少?-23-34[解]①室温下,T=300k(27℃),k0=1.380×10J/K,h=6.625×10J·S,19-318-3对于锗:Nc=1.05×10cm,Nv=5.7×10cm:﹟求300k时的Nc和Nv:根据(3-18)式:219232Nc3−342.105×103*2h().6(625×10)()2(2π⋅mnk0T)*22−31Nc=⇒m===.50968×10Kg根据(33n−23h2π⋅k0T2×.314×.138×10×300-23)式:218232Nv−3427.5×10332
8、(2π⋅m*kT)2h().6(625×10)()p0*22−31﹟求77k时Nv=⇒m===.339173×10Kg3p−23h2π⋅k0T2×.314×.138×10×300的Nc和Nv:32(2π⋅m*kT)'2n0'333Nch3T'2'T'7721919==();N=()2N=()×.105×10=.1365×103ccNTT300c2(2π⋅m*kT)2n03h同理:33'T'27721817N=()N=()×7.5×10=.741×10vvT300﹟求300k时的ni:12Eg1918.06713n=(Nc
9、Nv)exp(−)=.1(05×10×7.5×10)exp(−)=.196×10i2kT.00520求77k时的ni:1−192Eg1918.076×6.1×10−7n=(NcNv)exp(−)=.1(05×10×7.5×10)exp(−)=.1094×10②77ki−232k0T2×.138×10×77时,由(3-46)式得到:-19-231719-3Ec-ED=0.01eV=0.01×1.6×10;T=77k;k0=1.38×10;n0=10;Nc=1.365×10cm;课后答案网www.khdaw.comEc−E-
10、19[nexp(D217.001×6.1×1020)]×2[10×exp()]×22kT−2302×.138×10×7716N===6.6×10;D19Nc.1365×10[毕]3-8.(P82)利用题7所给的Nc和Nv数值及Eg=0.67eV,求温度为300k和500k时,含施主浓度ND=5×15-39-310cm
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