电力电子技术 新 全 题库及答案

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1、电力电子器件复习题库及答案一、填空题1.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。2.按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：不可控器件、半控型器件和全控型器件。3．按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类：电流驱动型和电压驱动型。4.电力电子器件是直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。5.主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担电能变换或控制任务的电路。6.电力电子器件一般工作在开关状态。7.电力二极管的工作特性可概括为单向导电性。8.

2、电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。9.普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为1KHz以下的整流电路。其反向恢复时间较长，一般在5ms以上。10.快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较短，一般在5ms以下。11.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在10～40ns之间。12.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论是否触发，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极正确触发情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降至维持电流以下。13.通常取

3、晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时，一般取为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3倍。14.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的称为2~4倍。15.晶闸管的派生器件有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。16.普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10微秒左右。高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额不易做高。17.双向晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。18.逆

4、导晶闸管是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。19.光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响。20.GTO的多元结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。21.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。22.GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅,导通时管压降较高。23.GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益,该值一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。

5、24.GTR导通的条件是：集电结正向偏置且基极施加驱动电流。25.在电力电子电路中GTR工作在开关状态,在开关过程中，在饱和区和截止区之间过渡时，要经过放大区。26.电力MOSFET导通的条件是：漏源极间加正电且栅源极间加大于开启电压的正电压。27.电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的放大区。28.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。29.IGBT是由MOSFET和GTR两类器件取长补短结合而成的复合

6、器件。30.IGBT导通的条件是：集、射极间加正电且栅、射极间加大于开启电压的正电压。31.IGBT的输出特性分为三个区域，分别是：正向阻断区，有源区和饱和区。IGBT的开关过程，是在正向阻断区和饱和区之间切换。32.IGCT由IGBT和GTO两类器件结合而成的复合器件，目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置。33.将多个电力电子器件封装在一个模块中，称为功率模块。34.与单管器件相比，功率模块的优点是：体积小、成本低、可靠性高。35.功率集成电路将功率器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一

7、芯片上。36.功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为机电一体化的理想接口。37.按照载流子参与导电的情况，可将电力电子器件分为:单极型、双极型和混合型（复合型）三类。38.在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是SCR，属于全控型器件的是GTO,GTR,电力MOSFET,IGBT,属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET,属于双极型器件的有电力二极管,SCR,G

8、TO,GTR,属于复合型电力电子器件得有IGBT,在可控的器件中，容量最大的是I