多通道stt-mram存储单元结构以及电流驱动磁畴壁移动的微磁模拟的研究

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1、华中科技大学硕士学位论文目录摘要................................................................................................................IAbstract.............................................................................................................II1绪论............................................

2、..............................................................11.1引言........................................................................................................................11.2磁随机存储器MRAM..........................................................................................21.

3、3磁畴壁研究进展....................................................................................................61.4本文研究内容与结构..........................................................................................102微磁模拟.............................................................................

4、.........................112.1微磁学理论..........................................................................................................112.2LLG（Landau-Lifshitz-Gilbert）方程.................................................................122.3Magoasis微磁模拟软件...................................

5、....................................................142.4本章小结..............................................................................................................143多通道自由层STT-MRAM存储单元结构的设计...............................153.1多通道自由层STT-MRAM存储单元结构模型........................................

6、.......153.2多通道STT-MRAM单元结构磁化翻转特性的计算与分析...........................193.3本章小结..............................................................................................................304电流驱动磁畴壁移动的微磁学模拟.........................................................324.1电流驱动磁畴壁移动单元结构设计...............

7、...................................................324.2本章小结..............................................................................................................405总结与展望....................................................