电晶体场效电晶体

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1、電晶體_場效電晶體一、單選題　(題每題分共分)()1.有一個N通道JFET，若IDSS=9mA，VGS(off)=VP=－3V，則其轉換特性曲線公式為(A)ID=0.009(1－)A(B)ID=0.009(VGS－3)2A(C)ID=0.009(1+)3A(D)ID=0.009(1+)2A。()2.下列敘述何者是錯誤的？(A)二極體的逆向飽和電流隨著溫度的增加而增加(B)在P型半導體中，電洞為少數載子，而自由電子為多數載子(C)用三用電表可以量出電晶體是屬於NPN型或PNP型(D)BJT電晶體是屬於雙極性元件而場效電晶體(FET)

2、是屬於單極性元件(E)外加逆向偏壓還未加到崩潰電壓之前，FET空乏區的寬度隨著外加逆向偏壓增加而加大。()3.下列對於場效電晶體(FET)的敘述何者是錯誤的？(A)輸入阻抗相當高，所以閘極(Gate)與源極(Source)間可以說是開路(open)(B)接面場效電晶體(JFET)不需外加電壓即已經有通道存在(C)所有類型的金氧半場效電晶體(MOSFET)都需外加電壓才會有通道存在(D)P通道的MOSFET，其基體(substrate)是使用N型材質(E)是屬於電壓控制元件。()4.一般大型BJT功率電晶體包裝外殼為電晶體的哪一極？(A)

3、射極(B)基極(C)集極(D)沒有通用的規範。()5.下列何者為N通道接面場效電晶體(JFET)的電路符號？()6.有關A/D轉換器的敘述，下列何者正確？(A)電壓信號轉換為電流信號(B)電流信號轉換為電壓信號(C)數位信號轉換為類比信號(D)類比信號轉換為數位信號。()7.一般雙極接面電晶體(BJT)的摻雜(doping)濃度大小依序為(A)B>C>E(B)B>E>C(C)E>C>B(D)E>B>C。()8.某N通道接面型場效應電晶體(JFET)之夾止電壓(pinch-offvoltage)VP=–4V且源極電壓VS=0V，則下列何者

4、可工作於飽和區？(A)VG=–5V，VD=1V(B)VG=–2V，VD=1V(C)VG=0V，VD=0V(D)VG=0V，VD=5V。()9.下列金氧半場效應電晶體（MOSFET）元件之電路符號，何者不是N通道型式？()10.已知某電晶體之共基極（CB）電流增益α由0.99變為0.98，若此電晶體基極電流IB=0.02mA，請問下列敘述何者錯誤？(A)共射極（CE）電流增益β將會增加(B)射極電流由2mA降為1mA(C)集極電流由1.98mA降為0.98mA(Ｄ)若想維持原來的集極電流，可增加基極電流。()11.()12.關於電晶體的結

5、構與特性，下列敘述何者錯誤？(A)含有之雜質量是射極高於集極(B)PNP之主要載體為電洞(C)NPN之主要載體為電子(D)崩潰電壓集極接合面小於射極接合面。()13.下列敘述何者錯誤？(A)NPN頻率特性高於PNP(B)PNP之頻率特性高於NPN(C)NPN之主要載體為電子(D)PNP之主要載體為電洞。()14.電流放大因數α值通常在(A)60%~70%之間(B)80%~90%之間(C)90%~99%之間(D)比1大。()15.當一電晶體之射極電流由2mA改變至2.25mA時，集極電流由1.95mA改變至2.19mA，求該電晶體之α值=

6、？(A)0.96(B)0.98(C)1.00(D)1.02。()16.電晶體工作在截止區時(A)集極與射極接面皆為逆向偏壓(B)集極與射極接面皆為順向偏壓(C)集極接面為逆向偏壓，射極接面為順向偏壓(D)以上皆可能。()17.電晶體符號上之箭頭是指(A)射極上的電洞流(B)集極上的電流(C)集極上的電子流(D)以上皆非。8()18.一NPN電晶體共射極放大器，若IB=0.06mA、IE=6.06mA，則其β值為(A)98(B)99(C)100(D)101。()19.有一電晶體之集極電流為4.9mA，射極電流為5mA，求此電晶體之β值？(

7、A)29(B)39(C)19(D)49。()20.ICEO與ICBO的關係為(A)ICBO=(1+β)ICEO(B)ICEO=(1+β)ICBO(C)ICBO=βICEO(D)ICEO=。()21.ICBO是指(A)基極開路，射、集極順偏(B)射極開路，集、基極順偏(C)射極開路，集、基極逆偏(D)集極開路，射、基極逆偏時的電流。()22.ICEO是指(A)CE電路，IB=0時之集極電流(B)CB電路，IB=0時之集極電流(C)CC電路，IB=0時之集極電流(D)與ICBO一樣大小。()23.電晶體之α=0.98，ICBO=10nA，則

8、ICEO=？(A)10nA(B)9.8nA(C)490nA(D)500nA。()24.電晶體的α=0.99，IB=10μA，ICBO=5μA，IC=？(A)99.0μA(B)500μA(C)490μA(D)