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时间:2019-02-06
《掺铥bawolt4gt晶体的生长及其性能研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、摘要BaW04晶体作为一种新型拉曼晶体,是潜在优良的激光基质。因此对其进行稀土离子掺杂的研究,具有重要意义。本文围绕Tm:BaW04晶体的生长工艺、缺陷类型及光学性质展开研究。通过X-射线衍射仪(XRD)、光学显微镜(OM)等分析手段和分光光度计、荧光光谱仪等测试手段,系统研究了Tm:BaW04晶体的生长规律、晶体缺陷、光学特性等,取得以下主要结果:采用中频感应加热提拉法生长Tin:BaW04晶体,对晶体提拉法生长的装置,过程以及影响晶体生长的因素进行了详细的分析,确定了合适的生长工艺参数。成功生长了不同掺杂浓度的Tin:BaW04晶体,晶体具有较好的结构完整性和光学质量。通过X射线粉末
2、衍射实验确定了晶体的晶胞参数,确认主相为白钨矿BaW04相。确定了Tm:BaW04晶体的腐蚀条件,对晶面的位错腐蚀坑进行了观察,发现蚀坑形貌符合晶体的结构对称性。对Tm:BaW04晶体的吸收光谱进行了测试,获得了晶体的轴谱图、仃谱图和1/"谱图。在轴谱图中,该晶体最强的吸收峰位于794.8rim,吸收系数为0.194cm"l,吸收截面为1.94Xlo-20Clll2,适合于LD泵浦,有望获得较高的激光输出效率。选用268nm和362m光源激发Tm:BaW04晶体得到荧光谱图。分别根据Judd.Ofelt理论计算了Tm3+离子在Tm:BaW04晶体中的唯象强度参数Q2---9.697X10
3、珈cnl2,f24--1.222X10‘20Clll2,f16---0.321×10-20G"ITl2和Tm3+离子在Tm:ZnW04晶体中的唯象强度参数Q2=5.368X10。20伽2,4=0.337X10珈Clll2,f]6=l。655×10-2%rn2,并进一步计算出了部分能级的自发辐射跃迁几率,荧光寿命,荧光分支比及积分发射截面积等光谱参数。研究TTm3+离子在Baw04晶体和ZnW04晶体中的上转换发光。采用794nm钛宝石连续激光器激发Tm:BaW04晶体得到上转换荧光谱图,荧光峰的峰位主要在405rim、689nm、704nm,其中689nm荧光峰最强,689nm荧光强度随
4、激发光能量成双对数关系,指数仅=1.1527,发光机制为双光子共振能量传输。采用1064rimNd:YAG激光器作为抽运源,利用强激光激发Tm:ZnW04晶体得到上转换荧光谱北京工业大学工学硕士学位论文图,上转换荧光峰有4个:484nm、638nm、653nm和675nm,其中484nm的荧光强度最大,观察到1G4---,3H6明亮的蓝色484nm_L转换荧光,荧光强度随激发光能量成双对数关系,指数a=2.2929,发光机制为三光子共振能量传输。关键词激光晶体;BaW04;Tm3+离子;光谱性质;上转换ⅡABSTRACTTheBaW04crystalisanovelRamancrysta
5、l,whichisaPromisinglasermaterial.Ithasimportantsignificationtostudyonthecrystaldopedrare-earthions.Thispaperhasconcentratedonthegrowthparameters,growthdefectsandspectraproperties.Thegrowthprocess,growthdefectsandopticalcharacteristicsoftheTm:BaW04crystalWerestudiedthroughX-Raydiffraction(XRO),opt
6、icalmicroscopy(OM),spectrophotometerandfluorescencespectrometermeasuratnent.Themainresultsalelistedasfollow:Crack-freeandperfectTm:BaW04crystalswitlldifferentTmdopedconcentrationsWeresuccessfullygrownbytheCzochralskitechnique.Byanalyzingthedevice,processandinfluencefactorsofcrystalgrowthindetail,
7、theoptimumtechnicalparameterswereobtained.Theas-growncrystalswereanalyzedbyXRDmethodusingitspowdersample,whichshowedthatonlyBaW04phaseexists.DislocationsWereobservedbychemicaletchingmethodandopticalmicroscope.Itisfound
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