移动通信技术及芯片发展趋势

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1、移动通信技术及芯片发展趋势联接信息世界用心丰富生活移动通信技术的演进移动通信技术发展数据速率>10Gbps数据速率600Mbps数据速率84Mbps数据速率473.6kbps仅语音35G发展的驱动力45G的关键能力能量密度：峰值数据速率：10Tbps/km210Gbps-50Gbps延迟：移动性：1ms(无线接口）500km/h5G连接密度：频谱效率：106-107个/km24G的5倍能效：4G的50-用户体验数据速率：100倍或更多100Mbps-1Gbps55G总体纲领与路线图2014201520

2、162017201820192020标准预研技术需求论证提案提交标准确定R14R15R16关键技术验证系统概念验证预商用关键技术研究标准化与演进技术验证和样机研制2017年中完成样机研制，满足小规模实验需求系统验证与小规2018年下半年满足大规模试验需求模测试大规模试验和商用产品开发2020年满足商用需求把握标准产业界共识与规律，提前布局5G技术产业发展路线图66智能终端芯片发展趋势芯片应用处理能力发展趋势在移动互联网应用需求的推动下，处理能力不断提升，多核64位已成趋势。8芯片集成度发展趋势第一阶

3、段第二阶段第三阶段（SoC实现）（WCN/SAW集成）（PA/RF集成）RFFEPA1PA1SwitchSwitchPA1PA2PA2PA2SwitchSAWTRXSAWAP+BBAP+BBAP+BBTRXTRXWCNWCNBBBB+RFWCNMEMSWCNPMUMEMSPMUMEMSPMURF为了满足智能终端的高性价比需求,终端芯片向高集成，低成本方向发展9芯片基带处理发展趋势单载波20MHz双载波40MHz多载波CAGbps2010~2015~2017~2020~LTECat4LTE-ACat6

4、/7LTE-ACat9/105GDL:150MbpsDL:300MbpsDL:450Mbps高频段UL:50MbpsUL:50/100MbpsUL:100Mbps超密集组网DCHSPA+DCHSPA+DCHSPA+新型多址技术更高的吞吐性能:从Cat6/7(300Mbps)向Cat12/13演进；DC-HSPA+成为WCDMA主流技术，成为LTE多模产品标配.多模多频成为标配,全模终端在中高端智能终端市场比重加大芯片工艺发展趋势BillionsofDollarsperYear35302516/1

5、4nmFinFET20nm2028nm1532nm40nm10502012201320142015201620172018在摩尔定律的指引下，芯片工艺继续向高性能，低功耗方向演进。智能终端芯片已从过去3G时代的40nm升级到LTE时代的28nm，未来将向更小尺寸的16/14nmFinFET方向发展。11国内通信芯片发展现状及差距国外：外围器件高度集成（4合1WCN、射频前端集成）国内：外围器件集成度处于起步阶段芯片集成度芯片工艺国外：高端产品16/14nm国外：垄断中高端市国内：28nm

6、工艺场，获取丰厚利润现状与差距国内：主要集中在中底端市场，利润空间小产品定位通信技术国外：可提供全模芯片,支持上行、下行CA。国内：无全模芯片，基本不支持CA,技术演进落后国外一年半左右联芯智能终端平台联芯技术发展规划2013201420152016LTECat4LTECat6LTECat7/8通信制式3G/4G150Mbps300Mbps3CCCA运算能力四核多核64位八核64位八核先进工艺40nm28nm28nm28nm/16FF802.11n802.11n802.11ac/BT/连接技术N

7、/AGPS/BDIntegratedGPS/BD/GNSS14LC1860特性亮点4+1*A7，主频高达1.6GHz28nmHPCGPUMaliT628MP2CPU1080P@60fpsvideoOpenVG1.1,OpenES3.0H.263/MPEG4/H.264/VP8GPU多媒体OpenCL1.1,RenderScriptH.265LC1860TD-LTE/FDDLTE/SDRLCD720PHDLCDTDS/W-HSPA+/EDGEModemCamera13MCamera

8、单芯片RFIC，700M-2.6GHz全频段安全DSDSCSFB/VoLTE安全OS，符合GP和银联TEE标准集成Trustzone安全支付、DRM应用15联芯倾力打造SDR技术平台关键技术指标联联芯芯SDRSDR系统系统架构架构矢量DSPSignoff416MHzVSPCore控制DSPSignoff416MHzRF矢量DSP运26.6GMAC/sDSPCore算能力(64MAC*416MHz)ARMCore矢量DSP0.085mW/MHz控制