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时间:2019-02-02
《变形及热处理对因瓦合金组织和性能的影响》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、摘要本文针对某彩管厂生产的显示器荫罩存在抗跌落性能不合格的问题,模拟该厂现场生产加工工艺路线,通过分析冷变形及热处理对因瓦合金组织及性能的影响,发现因瓦合金经800℃退火20min,23%冷变形,500。C二.次退火20rain后具有较好的综合性能,其抗拉强度为542MPa(钒),显微硬度为203HVo.os,伸长率为3.9%(6),满足了荫罩所用材料的力学性能的要求(抗拉强度≥500MPa、硬度≥170HV),达到了通过冷变形及热处理改善因瓦合金组织及力学性能的目的,有效地解决了荫罩抗跌落性能差的问题,为实
2、际生产确定了一条较佳的生产加工工艺路线。为了满足因瓦合金作为特殊结构材料使用方面的需求,向合金中加入Ti、Al强化元素,开发出高强度并具有较好塑性及较低的线膨胀系数的新型合金。这部分工作是采用真空高频感应熔炼技术制备了一系列成分的Fe州i—Co—Ti一(A1)合金,并借助光学金相显微镜(0M)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射技术(XRD)、线膨胀系数测试仪、电子万能拉伸试验机、显微硬度计等手段研究了各成分合金铸态、变形态、固溶及时效态的显微组织,力学性能,线膨胀系数及相分析,分
3、析讨论了热变形及热处理对含不同A1/Ti比(A1/Ti=0、0.2、0.6、1.0、1.4)的Fe-Ni--Co系合金组织及性能的影响。得到如下结论:向Fe州i-co系合金中加入A1、Ti等元素,经固溶时效处理后,合金强度及硬度提高的程度随A1/Ti比和固溶温度的不同而变化;其中加入A1/Ti为0.6时,合金经980℃固溶lh,650℃时效8h后的综合性能最好,其抗拉强度为12021dPa,显微硬度为433Hv。。,伸长率为9.7%,线膨胀系数为5.5×101/'c(21~200℃)。关键词:因瓦合金,荫罩,
4、热处理,力学性能,显微组织HI中南大掌硕士学位论文ABSTRAC丁ABSTRACTAimedatdisqualificationofanti—droppingpropertyexistedincolorelectronicconsoleshadowmasksproducedbyaplant,systematicexperimentswereperformedbysimulatingtheactualprocessofthisplanttoanalysistheinfluenceofcolddeformatio
5、nandheat-treatmentonmicrostructureandpropertiesofInvaralloy.Itresultsthataftertreatmentofannealingat800℃for20minutes.thendeformedwith23%degreeandannealingat500℃for20minutes.thecombinationpropertiesofalloywasimproved.Itstensilestrength,mierohardnessandelonga
6、tionWasabout542Ⅳ田a(ob),203HVo.05,3.9%(6),respectively,whichreachedtherequestofmechanicalproperties(tensilestrength≥500MPa,hardness≥170HV)ofshadowmask,achievedtheaimofimprovingmicrostructuresandpropertiesofInvaralloythroughcolddeformationandheat-treatment,so
7、lvedpooranti—droppingperformanceproblemeffectivelyandprovidedabetterprocesstechniqueforactualproduction.Furthermore,inordertomeettheInvaralloyasspecialstructuralmaterial.SomeelementssuchasTi、A1wi廿lstrengtheningeffectwereaddedintothealloy,flewtypealloywithhi
8、业strength,goodplasticityandlowerlinearexpansioncoefficientWasexploited.which,SeriesofFe-Ni-Co-Ti一(A1)alloyswerepreparedbyvacuumhi曲frequencyinductionmeltingmethod.Opticalmicroscope(OM)、scanningelectroni
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