全国2005年4月高等教育自学考试线性电子电路试题历年试卷.doc

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1、http://www.4juan.com专门收集历年试卷做试题,没答案?上自考365,网校名师为你详细解答!浙江省2005年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题2分，共20分)1.P型半导体中多数载流子为__________，少数载流子为__________。2.PN结的反向击穿有__________和__________两种击穿。3.三极管工作在饱和状态时，其发射结__________，集电结__________。4.当某三极管VBE=0.7V，VCE=0.3V，则该管工作在__________区，集电极电流和基极电流关系是___

2、_______。5.场效应管的导电过程仅仅取决于__________载流子的运动；因而它又称做__________器件。6.在场效应管放大电路中，就VGS而言，__________型MOS管是单极性的，而__________型MOS管可以是双极性的。7.放大器的失真分为__________失真和__________失真两大类。8.在相同条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移__________，而直接耦合放大电路的零点漂移__________。9.共发射极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________，共基极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是

3、__________。10.设计一个负反馈放大电路，要使输入电阻增大应引入__________型负反馈，若要稳定输出电压应引入__________型负反馈。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.杂质半导体中少数载流子浓度()。A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关2.判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量()。A.IBB.VCEC.VBED.IC3.若三极管的发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则集电极电流为()mA。A.0.

4、98B.1.02C.1.2D.0.84.N沟道JFET管的电路符号为()。 6http://www.4juan.com专门收集历年试卷5.场效应管是()器件。A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压6.在差动式放大电路中，共模输入信号等于两个输入端信号的()。A.和值B.差值C.平均值D.乘积值7.由PNP管组成的共射放大电路，若测得VCEQ=-VCC,-VCC为电源电压，则可判断该三极管处于()。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.击穿状态8.希望放大器具有大的输入电阻和稳定的输出电流，应引入()负反馈。A.电压串联B.电压并联C.电流串联

5、D.电流并联9.共集电极电路信号从()。A.基极输入，集电极输出B.发射极输入，集电极输出C.基极输入，发射极输出D.发射极输入，基极输出10.集成运算放大电路的输入级通常采用()电路。A.共集电极放大B.共发射极放大C.差动放大D.共基极放大三、简答题(每小题5分，共15分)1.试分析图三(1)所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。6http://www.4juan.com专门收集历年试卷2.电路如图三(2)所示，已知MOS管的μnCox()=250μA/V2,VGs(th)=2.0V,试求ID,VGS,VDS的值。3.图

6、三(3)所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型?并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值?(图中iD的假定正向为流进漏极)6http://www.4juan.com专门收集历年试卷四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.电路如图四(1)所示，晶体管的β＝80，rbe=1kΩ。（1）求出Q点；（2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的和Ri；（3）求出Ro。2.放大电路如图四(2)所示，T1管和T2管的β均为40，rbe均为3kΩ。试问：若输入直流信号uI1=20mv，uI2=10mv，则电路的共模输入电压uIC=？差模输入电压uId=？输

7、出动态电压△uo=?6http://www.4juan.com专门收集历年试卷 3.放大电路如图四(3)。要求：（1）指出级间反馈支路，判断其反馈类型；（2）按深度负反馈估算其闭环放大倍数；（3）说明输入电阻和输出电阻的变化趋势。4.电路如图四(4)所示，设图示电路中的运算放大器为理想的，电阻阻值在图中已标出。试写出Uo/Ui=?6http://www.4juan.com专门收集历年试卷 5.试求出图四(5)所示电路的uo与ui运算关系。6