半导体材料能带汇总

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划半导体材料能带汇总　　半导体材料　　名词解释：　　能带：包括允带和禁带。　　允带：允许电子能量存在的能量范围。允带又分为空带、满带、导带、价带。禁带：不允许电子存在的能量范围。　　空带：不被电子占据的允带。　　满带：允带中的能量状态均被电子占据。　　导带：电子未占满的允带。　　价带：被价电子占据的允带。　　过冷度：　　迁移率：?称为电子迁移率，表示单位场强下电子的平均漂移速度，与外加电场

2、无关，与其固有特性有关。　　集成度：指单块芯片上所容纳的原件数目。集成度越高，容纳的原件数目越多。　　半导体的五大特性：　　1.负电阻温度系数；　　2.光电导效应；　　3.整流效应；　　4.光生伏特效应；　　5.霍尔效应。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　半导体的分类：　　第一代半导体材料，元

3、素半导体材料，以Si和Ge为代表;Si：Eg=eV第二代半导体材料，化合物半导体材料，以GaAs，InP等材料为代表;GaAs：Eg=　　第三代半导体材料，化合物半导体材料，以GaN，SiC，ZnO等材料为代表;GaN:Eg=eV　　半导体的电阻率、电导率介于导体和绝缘体之间。如何区分导体、半导体和绝缘体？　　用电阻率和电导率来区分，测电阻、电阻率。电阻率ρ：导体，　　-半导体，绝缘体电导率σ：导体，半导体，绝缘体。　　半导体导电的条件？有外加电压，有自由移动的载流子。满的能带中的电子才可以导电。

4、　　跃迁　　直接带隙半导体→垂直跃迁：导带底和价带顶处于k空间同一点；跃迁前后没有动量变化；如GaAs，ZnO，GaN等。　　间接带隙半导体→非垂直跃迁：导带底和价带顶处于k空间不同一点；如Si，Ge等。　　跃迁的种类决定了发光几率，一般情况下，直接带隙半导体的发光几率远大于间接带隙半导体；制作利用电子—空穴复合的发光器件时，一般要用直接带隙半导体。　　半导体材料的三大应用领域：目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安

5、全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　1.集成电路；　　2.太阳能；　　发光。　　半导体掺杂：　　n型半导体：在半导体中掺入施主原子形成的杂志半导体称为n型半导体。提供导带电子的杂质称为施主。　　p型半导体：在半导体中掺入受主原子形成的杂志半导体称为p型半导体。提供价带空穴的杂质称为受主。　　除硼效果好/无腐蚀，降低污染/无需还原剂，分解效率高/制备多晶硅金属杂质低《二》　　Keff有效分凝系数：为描述界面处薄层中

6、杂质浓度的偏离对固相中杂质浓度的影响，通常把固相杂质浓度CS与固体内部杂质浓度CL0的比值　　Keff=CS/CL0　　2BPS公式　　Keff?k0　　(1?k0)e?f?　　D?k0　　f?:扩散层厚度D扩散系数　　?f?　　D熔区移动速度影响分凝系数的因素：F>>D/δe　　F目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能

7、及个人素质的培训计划一样向前推进　　2不需要二维成核过程　　3生长连续饱和度过低　　6杰克逊因子表达式及推导2???　　??L0y1*kTEv　　L0：物质的相变熵，决定于物质的本性，共存两相的类别kTE　　TE：相变时平衡温度　　L0：单个原子相变时内能改变量　　L0：单个原子旳相变熵TE　　y1：取向因子，取决于晶体结构和界面的取向，反应晶体的各向异性v　　y1：原子在界面内的一水平方向的近邻原子数，它决定了界面的取向　　v：晶体内部的一个原子的近邻原子数，与晶体结构有关　　7?与生长系统　　

8、1??2：光滑面如气相生长，溶液生长，氧化物熔体生长　　2??2：粗糙面如金属熔体生长　　3?介于氧化物与金属之间：为半导体材料如si取向因子　　对密排面，取向因子=目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　8界面热流连续性方程y1起决定性作用，v3最大，??2，可为光滑面4　　QL?