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时间:2018-12-22
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1、武汉理工大学毕业设计(论文)武汉理工大学本科生毕业设计(论文)任务书学生姓名:专业班级:自动化指导教师:工作单位:自动化学院设计(论文)题目:大功率IGBT驱动电路设计设计(论文)主要内容:研究目前市场大功率IGBT的特性,并针对1200V,450A的IGBT模块设计隔离型IGBT驱动电路及实现电路的保护。完成硬件电路设计。要求完成的主要任务:1.学习MATLAB软件相关知识内容;学习MATLAB软件相关知识;2.具体了解单管IGBT结构和工作原理,知道IGBT的基本特性(静态特性、动态特性)(了解内容:正反电压、集电极电流、射集电压、集电极功耗);3.具
2、体了解IGBT模块分别在低压小电流驱动和高压大电流驱动条件下的驱动要求,选取高压大功率的IGBT模块进行了解并设计其驱动电路(IGBT模块选取1200V,450A的FF450R12KT4型号);4.设计隔离型IGBT驱动电路的硬件电路;5.撰写毕业设计论文,字数不少于15000;6.完成外文文献翻译,字数约为5000左右。必读参考资料:[1]林飞杜欣.电力电子应用技术的MATLAB仿真[M].北京:中国电力出版社,2009.[2]王兆安刘进军.电力电子技术[M].北京:机械工业出版社,2009.[3]AbrahamI.Pressman著SwitchingP
3、owerSupplyDesign[M].王志强译.北京:电子工业出版社,2010.[4]陈坚.电力电子学-电力电子变换和控制技术[M].北京:高等教育出版社,2002.武汉理工大学毕业设计(论文)指导教师签名:系主任签名:院长签名(章):武汉理工大学本科生毕业设计(论文)开题报告1、目的及意义(含国内外的研究现状分析)绝缘栅双极晶体管(IGBT)为第三代电力电子器件,是80年代初为解决金属氧化物场效应管(MOSFET)的高导通压降、难以制成兼有高压和大电流特性和大功率晶体管(GTR)的工作频率低、驱动电路功率大等不足而出现的双机理复合器件,是MODFET和
4、GTR结合的产物。它结合了这两种器件的优点,比MODFET减少了导通损耗,增大了导通电流,比GTR开关速度快,驱动功率小,开关频率高,而且耐压等级也显著提高。诸多的优良特性使得IGBT成为大中功率开关电源、逆变器、高频感应加热有源滤波器、家用电器等需要电流变换成和的理想功率器件。特别是近几年来,变频驱动、有源电力滤波器、轻型直流输电、UPS电源、电焊机、医疗仪器等电力电子的应用技术风起云涌,IGBT作为主流的功率输出器件,应用日趋广泛。在要求快速低损耗的电力电子应用范围内,在中、低频功率功率控制应用中,IGBT最具独特性能。众所周知,电力电子技术和应用装置
5、的发展水平很大程度上依赖于电力电子器件的发展水平,而电力电子器件的使用性能还会依赖于电路条件和开关环境。IGBT也不例外,驱动保护电路的设计师IGBT应用中一个很重要的环节,也是应用设计的难点和关键。性能优良的驱动保护电路是保证IGBT高效、可靠运行的必要条件。目前IGBT驱动器的形式多种多样各有其特点,下面介绍几种典型常用的驱动器:1.双绞线传输式驱动器:门极驱动电路的输出线为绞合线,为抑制输入信号的振荡现象,在门源端并联一阻尼网络,由1电阻和0.33电容器组成阻尼振荡器。另外,驱动电路的输出级与IGBT的输入端之间的连接串有一只10的门极电阻。2.光电
6、耦合隔离式驱动器:输入信号经光电耦合器隔离后引入驱动电路,经放大器放大由推换电路V2,V3向IGBT提供门极驱动信号。V2通过+得到一个正向门极电压,当V2截止,V3导通是得到一个负的门极电压并截止。另外设计了过电流保护装置。当电流信号来时,IGBT脱离饱和状态,武汉理工大学毕业设计(论文)升高,VD1检测到该信号,一方面通过光耦向控制回路发信号,另一方面在较短的时间内降低门极电压使IGBT关断。3.变压耦合隔离式驱动器:由控制脉冲生成单元产生的脉冲信号经晶体管V进行功率放大后加到脉冲变压器T,并由T隔离耦合经稳压管VS1,VS2限幅后驱动IGBT。驱动级
7、不需专门的直流电源,简化了电路结构,且工作频率高,可达10KHZ左右。2、基本内容和技术方案首先针对自己的研究课题,经过查阅相关书籍资料了解IGBT元件的工作原理及其特性,从而掌握该元件的本质特点。然后阅读学习关于IGBT驱动电路的文献资料,深入的了解驱动电路的基本工作原理,为自己的电路初步设计奠定下基础。同时针对驱动电路中的对于IGBT元件的保护电路所需选择的措施及栅极电阻的选择进行研究,最终根据自己设计的驱动电路的特点采取正确的保护措施,从而进一步的更好的完成本次的关于IGBT驱动电路设计的课题研究。通过查阅学习关于IGBT元件的资料文献,了解到IGB
8、T(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅
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