全新半导体FD-SOI工艺 受芯片供应商力挺.doc

《全新半导体FD-SOI工艺 受芯片供应商力挺.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、全新半导体FD-SOI工艺受芯片供应商力挺　　格罗方德半导体自完成对IBM微电子业务的收购，是其获得了一系列差异化技术，可用于增强其公司在军用、物联网（IoT）、大数据和高性能计算等主要增长型市场中的产品组合，不仅巩固了在迈向10nm、7nm以及更先进的工艺之路上的领先地位，在全新的半导体工艺上，也推出了新一代联网设备的超低功耗要求的“22FDX”平台，此平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。　　虽然某些设备对三维FinFET晶体管的终极性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之

2、间实现更好的平衡。22FDX采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术（FD-SOI）工艺，为成本敏感型应用提供了一条最佳途径。凭借业内最低的0.4伏工作电压，该平台实现了超低动态功耗、更低的热效应和更为精巧的终端产品规格。该平台提供的芯片尺寸比28nm工艺小20%，掩膜少10%，而且其浸没式光刻层比foundryFinFET工艺少近50%，为联网设备在性能、功耗和成本方面实现了最佳组合点。　　　　在RF领域，格罗方德半导体目前在无线前端模块市场占据领先地位。IBM研发出世界一流的RF硅晶绝缘体（RFSOI）和高性能硅锗（SiGe）技术，对格罗方德半导体现有的主流技术组合形成了高度互补。公司

3、将继续加大投入，推出其下一代RFSOI路线图，并抓住汽车和家庭市场中的商机。格罗方德半导体首席执行官SanjayJha表示：“22FDX平台能够让我们的客户在性能、功耗和成本之间实现最佳平衡的差异化产品。该平台在业内率先提供针对晶体管特性的实时系统软件控制功能：系统设计人员能够动态平衡功耗、性能和漏电。此外，针对联网应用中的射频和模拟集成，该平台可提供最佳的扩展性和最高的能效。”22FDX采用了格罗方德公司位于德国德累斯顿的最先进的300mm生产线上的量产28nm平台。该工艺建立在近20年对欧洲最大的半导体晶圆厂的持续投资之上，掀开了“萨克森硅谷”发展史上的一个新篇章。格罗方德半导体在德累斯顿

4、为22FDX平台投入了2.5亿美元，用于技术研发和启动22FDX的生产，从而将公司自2009年以来对Fab1的总投资增至超过50亿美元。公司还将加大投资提高生产力以满足客户需求。格罗方德半导体正与多家欧洲领先的研发和行业机构开展合作，以便为22FDX建设一个强大的生态系统，缩短产品上市时间，并为其制定一个全面的路线图。公司现提供设计入门套件和早期版本的工艺设计套件（PDK），并将于2016下半年启动风险生产。　　　　芯片供应商力挺FD-SOI工艺　　STMicroelectronics首席运营官Jean-MarcChery表示：“格罗方德半导体的FDX平台采用了一种先进的FD-SOI晶体管结构

5、，该结构是双方长期合作的结晶。FD-SOI确认并增强了这种工艺的强劲发展势头，拓展了生态系统，并确保了一个大批量供货