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时间:2018-12-04
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1、SiC电力电子器件产业链的情况及企业排名 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。本期1°姐将用一张图为大家介绍下SiC电力电子器件产业链的具体情况。 SiC材料具有众多优异的物理性质,如禁带宽度大(接近于Si的3倍)、器件极限工作温度高(可以高达600℃)、临界击穿电场强度大(是Si的10倍)、热导率高(超过Si的3倍)等。 下面,我们就通过一张图了解SiC电力电子器件产业链的情况,企业排名不分先后。 SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节以及下游的应用环节。当然还有配套的设备、材料
2、等环节,本期不做重点介绍。 SiC电力电子器件产业链的情况及企业排名 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。本期1°姐将用一张图为大家介绍下SiC电力电子器件产业链的具体情况。 SiC材料具有众多优异的物理性质,如禁带宽度大(接近于Si的3倍)、器件极限工作温度高(可以高达600℃)、临界击穿电场强度大(是Si的10倍)、热导率高(超过Si的3倍)等。 下面,我们就通过一张图了解SiC电力电子器件产业链的情况,企业排名不分先后。 SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节以及下游的应用
3、环节。当然还有配套的设备、材料等环节,本期不做重点介绍。 SiC电力电子器件产业链的情况及企业排名 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。本期1°姐将用一张图为大家介绍下SiC电力电子器件产业链的具体情况。 SiC材料具有众多优异的物理性质,如禁带宽度大(接近于Si的3倍)、器件极限工作温度高(可以高达600℃)、临界击穿电场强度大(是Si的10倍)、热导率高(超过Si的3倍)等。 下面,我们就通过一张图了解SiC电力电子器件产业链的情况,企业排名不分先后。 SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器
4、件和模块制造环节以及下游的应用环节。当然还有配套的设备、材料等环节,本期不做重点介绍。 衬底环节 大陆SiC衬底生产企业包括天科合达(870013.OC)、山东天岳、河北同光、北京世纪金光和中科节能等,此外,三安光电收购的瑞典企业Norstel。 境外SiC衬底生产企业包括美国Cree、II-VI、道康宁、日本Rohm和NSC等。其中Cree和Rohm已经整合了从SiC衬底到模组的全产业链生产环节。 1、天科合达 公司成立于2006年9月,目前注册资本8697.62万元,是专业从事第三代半导体碳化硅晶片研发、生产和销售的国有控股企业,目前拥有一家全资子公司。
5、总部公司设在北京市大兴区生物医药基地,拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地;全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市,主要进行碳化硅晶体生长。作为国内成立时间最早、规模最大的制备即开即用型SiC晶片的企业,依托于中国科学院物理所多年在碳化硅领域的研究成果,集技术、管理、市场和资金优势,在国内首次建立了完整的碳化硅晶片生产线,突破了缺陷抑制、快速生长和籽晶处理等关键技术,形成了具有自主知识产权的完整技术路线。 2、山东天岳 山东天岳成立于2010年,碳化硅单晶生长和加工技术来自山东大学晶体材料国家重点实
6、验室的技术转让。山东天岳公司发展起源碳化硅材料,致力于碳化硅产业链的发展,在做好材料的同时,公司在碳化硅芯片及电子应用领域进行了技术储备和产业布局。 3、河北同光 河北同光晶体有限公司成立于2012年5月28日,位于河北省保定市高新区。河北同光和中科院半导体所紧密合作,打造了一支具有国内领先水平的研发队伍,中科院半导体所和河北同光成立了“第三代半导体材料联合研发中心”,并在河北同光建立院士工作站,中科院半导体所成果转化基地。 4、北京世纪金光 北京世纪金光成立于2010年12月24日,始建于1970年,其前身为中原半导体研究所。公司主营宽禁带半导体晶体材料、外延和
7、器件的研发与生产,是国内首家贯通整个碳化硅全产业链的高新技术企业,既:碳化硅高纯粉料→单晶材料→外延材料→器件→功率模块制备。2018年2月1日,北京世纪金光6英寸碳化硅器件生产线成功通线。 5、中科节能 中科节能成立于2016年6月,是由中国钢研科技集团的新冶集团(占股40%)、国宏华业投资有限公司(占股35%)和公司骨干员工(占股25%)三方共同出资成立的由央企控股的混改公司。未来三年(2018-2020年),中科钢研致力于突破6英寸“高品质、低成本”导电型碳化硅晶体升华法长晶工艺及装备、4英寸无掺杂高纯半绝缘碳化硅晶
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