高电压技术(第三版)课后习题答案.pdf

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1、第一章作业1-1解释下列术语（1）气体中的自持放电；（2）电负性气体；（3）放电时延；（4）50%冲击放电电压；（5）爬电比距。答：（1）气体中的自持放电：当外加电场足够强时，即使除去外界电离因子，气体中的放电仍然能够维持的现象；（2）电负性气体：电子与某些气体分子碰撞时易于产生负离子，这样的气体分子组成的气体称为电负性气体；（3）放电时延：能引起电子崩并最终导致间隙击穿的电子称为有效电子，从电压上升到静态击穿电压开始到出现第一个有效电子所需的时间称为统计时延，出现有效电子到间隙击穿所需的时间称

2、为放电形成时延，二者之和称为放电时延；（4）50%冲击放电电压：使间隙击穿概率为50%的冲击电压，也称为50%冲击击穿电压；（5）爬电比距：爬电距离指两电极间的沿面最短距离，其与所加电压的比值称为爬电比距，表示外绝缘的绝缘水平，单位cm/kV。1-2汤逊理论与流注理论对气体放电过程和自持放电条件的观点有何不同？这两种理论各适用于何种场合？答：汤逊理论认为电子碰撞电离是气体放电的主要原因，二次电子来源于正离子撞击阴极使阴极表面逸出电子，逸出电子是维持气体放电的必要条件。所逸出的电子能否接替起始电子的

3、作用是自持放电的判据。流注理论认为形成流注的必要条件是电子崩发展到足够的程度后，电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸，流注理论认为二次电子的主要来源是空间的光电离。汤逊理论的适用范围是短间隙、低气压气隙的放电；流注理论适用于高气压、长间隙电场气隙放电。1-3在一极间距离为1cm的均匀电场电场气隙中，电子碰撞电离系数α=11cm-1。今有一初始电子从阴极表面出发，求到达阳极的电子崩中的电子数目。解：到达阳极的电子崩中的电子数目为d111nee59874a答：到达阳极的电子崩中的电子数目为5

4、9874个。1-5近似估算标准大气条件下半径分别为1cm和1mm的光滑导线的电晕起始场强。解：对半径为1cm的导线0.30.3E30m13011139(kV/cm)cr11对半径为1mm的导线0.3E3011158.5(kV/cm)c0.11答：半径1cm导线起晕场强为39kV/cm，半径1mm导线起晕场强为58.5kV/cm1-10简述绝缘污闪的发展机理和防止对策。答：户外绝缘子在污秽状态下发生的沿面闪络称为绝缘子的污闪。绝

5、缘子的污闪是一个受到电、热、化学、气候等多方面因素影响的复杂过程，通常可分为积污、受潮、干区形成、局部电弧的出现和发展等四个阶段。防止绝缘子发生污闪的措施主要有：（1）调整爬距（增大泄露距离）（2）定期或不定期清扫；（3）涂料；（4）半导体釉绝缘子；（5）新型合成绝缘子。1-11试运用所学的气体放电理论，解释下列物理现象：（1）大气的湿度增大时，空气间隙的击穿电压增高，而绝缘子表面的闪络电压下降；（2）压缩气体的电气强度远较常压下的气体为高；（3）沿面闪络电压显著地低于纯气隙的击穿电压。答：（1）

6、大气湿度增大时，大气中的水分子增多，自由电子易于被水分子俘获形成负离子，从而使放电过程受到抑制，所以击穿电压增高；而大气湿度增大时，绝缘子表面容易形成水膜，使绝缘子表面积污层受潮，泄漏电流增大，容易造成湿闪或污闪，绝缘子表面闪络电压下降；（2）气压很大时电子的自由行程变小，两次碰撞之间从电场获得的动能减小，电子的碰撞电离过程减弱，所以击穿电压升高，气体的电气强度也高；（3）沿面闪络电压显著地低于纯气隙的击穿电压是因为沿固体介质表面的电场与纯气隙间的电场相比发生了畸变，造成电场畸变的原因有：1.固体

7、介质与电极表面接触不良，存在小缝隙；2.固体介质表面由于潮气形成水膜，水膜中的正负离子在电场作用下积聚在沿面靠近电极的两端；3.固体介质表面电阻不均匀和表面的粗糙不平。第二章作业2-1试用经验公式估算极间距离d=2cm的均匀电场气隙在标准大气条件下的平均击穿场强Eb。P32解：d=2cm的均匀电场气隙平均击穿场强为E24.556.66/d24.5516.661/229.26(kV/cm)b答：标准大气条件下的平均击穿场强为29.26kV/cm2-3在线路设计时已确定某线路的相邻导线

8、间气隙应能耐受峰值为±1800kV的雷电冲击电压，试利用经验公式近似估计线间距离至少应为若干？P36解：导线间的气隙可以用棒-棒气隙近似表示对正极性雷电冲击：U755.6dd(180075)/5.6308(cm)50%对负极性雷电冲击：U1106dd(1800110)/6282(cm)50%取两者中较大者308cm答：线间距离至少应为308cm。2-4在p=755mmHg，t=33的条件下测得一气隙的击穿电压峰值为108kV，试近似求取该气隙在标准大气条件下