avr单片机eeprom寄存器

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1、ATmega88包含512字节的EEPROM数据存储器。它是作为一个独立的数据EEPROM的寿命至少为100,000次擦除周期。EEPROM的访问由地址寄存器,数据寄存器和控制寄存器决定。具体的SPI及并行下载EEPROM数据请参见P254“存储器编程”。EEPROM读/写访问EEPROM读/写访问EEPROM的访问寄存器位于I/O空间。EEPROM的写访问时间由Table3给出。自定时功能可以让用户软件监测何时可以开始写下一字节。用户操作EEPROM需要注意如下问题:在电源滤波时间常数比较大的电路中,上电/下电时VCC上升/下降速度会比较慢。此时CPU可能工作于低于晶振所要求的电源电压。

2、请参见P20“防止EEPROM数据丢失”以避免出现EEPROM数据丢失的问题。为了防止无意识的EEPROM写操作,需要执行一个特定的写时序。具体参看EEPROM控制寄存器的内容。执行EEPROM读操作时,CPU会停止工作4个周期,然后再执行后续指令;执行EEPROM写操作时,CPU会停止工作2个周期,然后再执行后续指令。EEPROM地址寄存器-EEARH和EEARL·Bits15..9–Res:保留保留位,读操作返回值为零。·Bits8..0–EEAR8..0:EEPROM地址EEPROM地址寄存器–EEARH和EEARL指定了512字节的EEPROM。EEPROM地址是线性的,从0到51

3、1。EEAR的初始值没有定义。在访问EEPROM之前必须为其赋予正确的数据。EEAR8在ATmega48中为无效位,必须始终将其赋值为”0”。EEPROM数据寄存器-EEDR·Bits7..0–EEDR7.0:EEPROM数据对于EEPROM写操作,EEDR是需要写到EEAR单元的数据;对于读操作,EEDR是从地址EEAR读取的数据。EEPROM控制寄存器-EECR·Bits7..4–Res:保留保留位,读操作返回值为零。·Bit5,4–EEPM1与EEPM0:EEPROM编程模式位EEPROM编程模式位的设置决定对EEPE写入后将触发什么编程方式。EEPROM的编程可以作为一个原子操作来

4、实现擦除老的数据并写入新的数据,也可以将擦除与写操作分为两步进行。不同编程模式的时序请见Table2。EEPE置位时,对EEPMn的任何写操作都将会被忽略。在复位过程中,除非EEPROM处于编程状态,EEPMn位将被设置为0b00。·Bit3–EERIE:使能EEPROM准备好中断若SREG的I为"1",则置位EERIE使能EEPROM准备好中断。清零EERIE则禁止此中断。当EEPE清零时EEPROM准备好中断即可发生。·Bit2–EEMPE:EEPROM写使能EEMPE决定设置EEPE为"1“是否可以启动EEPROM写操作。当EEMPE为"1“时,在4个时钟周期内置位EEPE将把数据写

5、入EEPROM的指定地址;若EEMPE为"0“,则EEPE不起作用。EEMPE置位后4个周期,硬件对其清零。见EEPROM写过程对EEPE位的描述。·Bit1–EEPE:EEPROM写使能写使能信号EEPE是EEPROM的写入选通信号。当EEPROM数据和地址设置好之后,需置位EEPE以便将数据写入EEPROM。此时EEMPE必须置位,否则EEPROM写操作将不会发生。写时序如下(第3和第4步的次序可更改):1.等待EEPE位变为零2.等待SPMCSR中的SPMEN位变为零3.将新的EEPROM地址写入EEAR(可选)4.将新的EEPROM数据写入EEDR(可选)5.对EECR寄存器的EE

6、MPE写"1",同时清零EEPE6.在置位EEMPE的4个周期内,置位EEPE在CPU写Flash存储器的时候不能对EEPROM进行编程。在启动EEPROM写操作之前软件必须要检查Flash写操作是否已经完成。第二步仅在软件包含引导程序,允许CPU对Flash进行编程时才有用。如果CPU永远都不会写Flash,则第二步可以忽略。请参考P240“BootLoader支持RWW自编程,ATmega88与ATmega168”。(注意:ATmega48无BootLoader)注意:如有中断发生于步骤5和6之间将导致写操作失败。因为此时EEPROM写使能操作将超时。如果一个操作EEPROM的中断打断

7、了另一个EEPROM操作,EEAR或EEDR寄存器可能被修改,引起EEPROM操作失败。建议此时关闭全局中断标志I。经过写访问时间之后,EEPE硬件清零。用户可以凭此位判断写时序是否已经完成。EEPE置位后,CPU要停止两个时钟周期才会运行下一条指令。·Bit0–EERE:EEPROM读使能读使能信号EERE是EEPROM的写入选通信号。当EEPROM地址设置好之后,需置位EERE以便将数据读入EEAR。EEPROM数据

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