《扩散部工艺培训》word版

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1、ThermalprocesstrainingEDITBYYUMLCSMCHJ扩散部工艺培训----主要设备、热氧化、扩散、合金扩散部2002年7月ThermalprocesstrainingEDITBYYUML前言:扩散部按车间划分主要由扩散区域及注入区域组成,其中扩散区域又分扩散老区和扩散新区。扩散区域按工艺分,主要有热氧化、扩散、LPCVD、合金、清洗、沾污测试等六大工艺。本文主要介绍热氧化、扩散及合金工艺。目录第一章:扩散区域设备简介……………………………………第二章:氧化工艺第三章:扩散工艺第四章:合金工艺ThermalprocesstrainingEDIT

2、BYYUML第一章:扩散部扩散区域工艺设备简介炉管设备外观:扩散区域的工艺、设备主要可以分为:类别主要包括按工艺分类热氧化一氧、二痒、场氧、Post氧化扩散推阱、退火/磷掺杂LPCVDTEOS、SI3N4、POLY清洗进炉前清洗、漂洗合金合金按设备分类卧式炉A、B、C、D、F、H、I六台立式炉VTR-1、VTR-2、VTR-3清洗机FSI-1、FSI-2炉管:负责高温作业,可分为以下几个部分:组成部分功能控制柜→对设备的运行进行统一控制;装舟台:→园片放置的区域,由控制柜控制运行炉体:→对园片进行高温作业的区域,由控制柜控制升降温源柜:→供应源、气的区域,由控制柜控

3、制气体阀门的开关。FSI:负责炉前清洗。ThermalprocesstrainingEDITBYYUML第二章:热氧化工艺热氧化法是在高温下(900℃-1200℃)使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜,对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。硅片氧化前的清洗、热氧化的环境及过程是制备高质量二氧化硅膜的重要环节。2.1氧化层的作用2.1.1用于杂质选择扩散的掩蔽膜常用杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数,因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力。利用这一性质,在硅上的二氧化硅层上刻出选

4、择扩散窗口,则在窗口区就可以向硅中扩散杂质,其它区域被二氧化硅屏蔽,没有杂质进入,实现对硅的选择性扩散。SiO2N-WELLP-WLLS(P+)1960年二氧化硅就已被用作晶体管选择扩散的掩蔽膜,从而导致了硅平面工艺的诞生,开创了半导体制造技术的新阶段。同时二氧化硅也可在注入工艺中,作为选择注入的掩蔽膜。作为掩蔽膜时,一定要保证足够厚的厚度,杂质在二氧化硅中的扩散或穿透深度必须要小于二氧化硅的厚度,并有一定的余量,以防止可能出现的工艺波动影响掩蔽效果。2.1.2缓冲介质层Si(P)P-WellN-WellSiO2Si3N4其一:硅与氮化硅的应力较大,因此在两层之间生

5、长一层氧化层,以缓冲两者之间的应力,如二次氧化;其二:也可作为注入缓冲介质,以减少注入对器件表面的损伤。2.1.3电容的介质材料电容的计算公式:C=e0*er*S/de0:真空介质常数er:相对介电常数S:电容区面积D:介质层厚度ThermalprocesstrainingEDITBYYUML二氧化硅的相对介电常数为3-4。二氧化硅的耐击穿能力强,温度系数小,是制作电容介质的常用材料。在电容的制作过程中,电容的面积和光刻、腐蚀有较大的关系,而厚度则由二氧化硅的厚度决定。2.1.4集成电路的隔离介质N-WellSiO2Si(P)P-WellSi3N4二氧化硅的隔离效果

6、比PN结的隔离效果好,漏电流小,耐击穿能力强,隔离区和衬底之间的寄生电容小,不受外界偏压的影响,使器件有较高的开关速度。如工艺中常用的场氧化就是生长较厚的二氧化硅膜,达到器件隔离的目的。2.1.5MOS场效应晶体管的绝缘栅材料二氧化硅的厚度和质量直接决定着MOS场效应晶体管的多个电参数,因此在栅氧化的工艺控制中,要求特别严格。N-WellSi(P)P-WellSiO2PolyGate-oxide2.2热氧化方法介绍2.2.1干氧氧化干氧氧化化学反应式:Si+O2==SiO2氧分子以扩散的方式通过氧化层到达二氧化硅-硅表面,与硅发生反应,生成一定厚度的二氧化硅层。干氧

7、化制作的SiO2结构致密,均匀性、重复性好,掩蔽能力强,对光刻胶的粘附性较好,但生长速率较慢;一般用于高质量的氧化,如栅氧等;厚层氧化时用作起始和终止氧化;薄层缓冲氧化也使用此法。2.2.2水汽氧化水汽氧化化学反应式:2H2O+Si==SiO2+2H2ThermalprocesstrainingEDITBYYUML水汽氧化生长速率快,但结构疏松,掩蔽能力差,有较多缺陷。对光刻胶的粘附性较差,我们公司不采用此方法。2.2.3湿氧氧化湿氧氧化反应气体中包括O2和H2O,实际上是两种氧化的结合使用。湿氧氧化化学反应式:H2+O2==H2OH2O+Si==SiO2+2H

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