模拟电路基础知识

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1、模拟电路基础知识　　　　1、同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等　　2、反相放大电路的重要特征是“虚地”的概念　　3、PN结具有一种很好的数学模型：开关模型à二极管诞生了à再来一个PN结，三极管诞生了　　4、高频电路中，必须考虑PN结电容的影响（正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容）　　5、点接触型二极管适用于整流，面接触型二极管适用于高频电路　　6、硅管正向导通压降0.7V，锗管为0.2V　　7、齐纳二极管（稳压管）工作于反向击穿状态　　8、肖特基二极管（Schottky，SBD）适用于高频开关电路，正向压降和反相压降

2、都很低（0.2V）但是反向击穿电压较低，漏电流也较大　　9、光电二极管（将光信号转为电信号）　　10、二极管的主要参数：最大整流电流，最大反相电压，漏电流　　11、模拟电路基础知识　　　　1、同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等　　2、反相放大电路的重要特征是“虚地”的概念　　3、PN结具有一种很好的数学模型：开关模型à二极管诞生了à再来一个PN结，三极管诞生了　　4、高频电路中，必须考虑PN结电容的影响（正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容）　　5、点接触型二极管适用于整流，面接触型二极管适用于高频电路　　6、硅管正向

3、导通压降0.7V，锗管为0.2V　　7、齐纳二极管（稳压管）工作于反向击穿状态　　8、肖特基二极管（Schottky，SBD）适用于高频开关电路，正向压降和反相压降都很低（0.2V）但是反向击穿电压较低，漏电流也较大　　9、光电二极管（将光信号转为电信号）　　10、二极管的主要参数：最大整流电流，最大反相电压，漏电流　　11、三极管有发射极（浓度最高），集电极，基极（浓度最低）。箭头写在发射极上面　　12、发射极正偏，集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。三种连接方式：共基极，共发射极（最多，因为电流，电压，功率均

4、可以放大），共集电极。判别三种组态的方法：共发射极，由基极输入，集电极输出;共集电极，由基极输入，发射极输出;共基极，由发射极输入，集电极输出。　　13、三极管主要参数：电流放大系数β，极间反向电流，（集电极最大允许电流，集电极最大允许耗散功率，反向击穿电压=3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域）　　14、三极管数学模型：单管电流放大　　15、射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响（双电源更好）　　16、三种BJT放大电路比较：共射级放大电路，电流、电压均可以放大。共集电极放大电路：只放大电流，跟随电压，输入R大，输出

5、R小，用作输入级，输出级。共基极放大电路：只放大电压，跟随电流，高频特性好　　17、去耦电容：输出信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。旁路电容：输入信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路　　18、BJT是一种电流控制电流型器件（双极型），FET是一中电压控制电流器件（单极型）　　19、主流是从发射极到集电极的IC，偏流就是从发射极到基极的Ib。相对与主电路而言，为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。　　20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。其中P

6、型衬底一般与栅极g相连　　21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用（开启电压Vt），耗尽型FET则不需要栅源电压，在正的Vds作用下，就有较大的漏极电流流向源极（如果加负的Vgs，那么可能出现夹断，此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性***：可以在正负的栅源电压下工作）　　22、N沟道的MOS管需要正的Vds（相当于三极管加在集电极的Vcc）和正的Vt（相当于三极管基极和发射极的Vbe），而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt　　23、MOSFET主要参数：开启电压Vt，夹断电压Vp。极限参数：最大漏极电流Id

7、m，最大耗散功率Pdm　　24、MOSFET三种放大电路：共源极放大电路（共射极），共漏极放大电路（共集电极），共栅极放大电路（共基极）　　25、差分式放大电路：差模信号：两输入信号之差。共模信号：两输入信号之和除以2。由此：用差模与共模的定义表示两输入信号可得到一个重要的数学模型：任意一个输入信号=共模信号±差模信号/2　　26、差分式放大电路只放大差模信号，抑制共模信号。利用这个特性，可以很好的抑制温度等外界因素的变化对电路性能的影响。具体的性能指标：共模抑制比Kcmr　　27、集成运放的温度漂移是漂移的主要来源　　28、集

8、成运放的参数：最大输出电流，最大输出电压　　29、VCC是电路的供电电压，VDD是芯片的工作电压　　30、放大电路的干扰：1、将电源远离放大电路2、输入级屏蔽3、直流电源电压波动（采用稳压电源，输入和输出加上滤波电容）　　31、负反馈放大电路的四种组态：电压串联