欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:20672792
大小:1.09 MB
页数:3页
时间:2018-10-14
《文章控制在3个最多不超过4个页码(单倍行距,页边距各2cm)》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、文章控制在3个最多不超过4个页码(单倍行距,页边距各2cm)PbxSr1-xTiO3陶瓷及薄膜的制备和性能研究文章标题为二号黑体字,要求在20字以内,上下空半行***,作者为小四号仿宋字***,***,***,(电子科技大学单位为六号宋体字,与英文相对应,下空半行电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054)摘要摘要,中图分类号为小五号字。内容包括目的、过程及方法、结果,字数在100~300字以内:研究了Pb含量对PbxSr1-xTiO3(x=0.2~0.8)陶瓷微结构和介电性能的影响,当x<0.45时晶体为立方相,x≥
2、0.45时为四方相;随着Pb含量增大,陶瓷气孔率下降,致密度增加,晶粒尺寸逐渐增大,居里峰近似线性地向高温方向移动,并具有一致的居里外斯常数。采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)上制备了Pb0.3Sr0.7TiO3(PST30)薄膜,经550℃退火后为(111)择优取向的多晶薄膜,1kHz下的可调率为21.8%。关键词关键词须5-8个以上,小五号:PbxSr1-xTiO3陶瓷;射频磁控溅射;Pb0.3Sr0.7TiO3(PST30)薄膜;微结构;介电性能中图分类号:TN384文献标识码:APreparation
3、andPropertiesofPbxSr1-xTiO3CeramicsandThinFilms英文标题为四号英文黑体字,上空半行PEIYa-fang,YANGChuan-ren,CHENHong-wei,ZHANGJi-hua,LENGwen-jian英文作者为五号英文黑体字,下空半行(StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices,UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu610054,
4、China英文单位应与中文对应,且是本单位对外标准单位,六号英文字)Abstract:PbxSr1-xTiO3(x=0.2~0.8)ceramicswerepreparedbyconventionalpowder-processingmethod.TheeffectofthePbcontentonthemicrostructureanddielectricpropertieswerestudied.X-Raydiffractionstudiesshowthatthelatticestructurechangesfromcubict
5、otetragonalphaseat45%Pbcontent.ScanningElectronMicrocopystudiesindicatethatthehigherPbcontentis,thegreatergrainsizeandthehigherdensityis.er-TcurveexhibitsthatCurie-TemperaturelinearlyincreaseswiththeincreaseofPbcontentandthecompositions(x=0.20~0.55)showthesimilarCurie
6、-Wiessconstant.Pb0.3Sr0.7TiO3thinfilmarepreparedbyRFmagnetronsputteringonPt/Ti/SiO2/Si(100)substrateandannealedat550℃.Meanwhile,thefilmsexhibit(111)orientationandthetunabilityismeasuredtobe21.8%at1kHz英文摘要、关键词内容应全部与中文一一对应,小五号.Keywords:PbxSr1-xTiO3ceramics;RFmagnetronsp
7、uttering;Pb0.3Sr0.7TiO3thinfilm;microstructure;dielectricproperties引言微波可调介电材料在微波可调元件上有着广阔的应用前景引言简要叙述,不得有图表和公式,如移相器、谐振器、滤波器等[1-2],目前研究得最多的是BaxSr1-xTiO3(BST)及其掺杂系列。最近,Cross[3]等发现PbxSr1-xTiO3(PST)陶瓷可调性高达70%,介电损耗低于0.1%,优值(FOM)高达700,并且其薄膜具有比BST更低的晶化温度,是一种非常实用的新型电场调节元件材料。目前
8、PST材料的研究尚处于起步阶段,只是对溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备PST薄膜的研究相对较多,研究显示可调率可高达80.1%[4],损耗低至0.2%[5],而对PST系列陶瓷以及磁控溅射法制备PST薄膜的研究较少[6]。本文一方面就PbxSr1
此文档下载收益归作者所有