紫外负型光刻胶和配套试剂

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1、紫外负型光刻胶及配套试剂　试剂所通过承担国家重点科技攻关任务而研制开发出来的紫外光刻胶及配套试剂主要用于超大规模集成电路和分立器件微细加工过程。成果及产品的水平在国内居领先地位，其中的紫外负型光刻胶获得了国家科委颁发的国家级新产品证书。现已形成年产紫外负型光刻胶20吨、紫外正型光刻胶5吨、配套试剂100吨的规模，并正在进行更大规模的建设。 　一．BN系列紫外负型光刻胶㈠ BN-302系列紫外负型光刻胶BN302-60负型光刻胶主要用于中、小规模集成电路的光刻。该光刻胶感光速度快，工艺宽容大，对二氧化硅、多晶硅和金属层具有较好的粘附性和抗湿法腐蚀能力

2、。⒈特性:⑴高分辨率；⑵高感光灵敏度；⑶优良的粘附性；⑷优良的抗腐蚀性。⒉性质:该产品为浅黄色，稍有粘性的清亮液体，易溶于苯类溶剂，在酮类，醇类中能沉淀出絮状固体。在光和热作用下，其中的交联剂分解，生成的游离基与环化胶中的不饱和键加成形成网状结构。⒊用途:主要用于中、小规模集成电路制作及等离子腐蚀精密仪器加工制造，采用接触、接近式等曝光方式。本产品于10～25℃避光干燥处通风密封储存，应避免与酸或高温接触，否则会导致产品变质。本产品有效期为一年。㈡ BN-303系列紫外负型光刻胶BN303系列紫外负型光刻胶主要用大规模集成电路及各类半导体器件芯片的

3、光刻，该系列光刻胶分辨高、感光速度快、粘附性好、抗腐蚀性强。对二氧化硅、多晶硅和金属层具有较好的粘附性和抗湿法腐蚀能力，在较高膜厚下使用仍具有高分辨率。⒈特点:⑴高分辨率，高感光灵敏度;⑵优良的粘附性;⑶优良的抗腐蚀能力;⑷操作宽容度大;⑸针孔密度低。⒉性质:该产品为浅黄色，稍有粘性的清亮液体，易溶于苯类溶剂，在酮类、醇类溶剂中能析出絮状固体。在光和热作用下，其中交联剂分解成游离基，能与环化胶中的不饱和键加成形成网状结构，故产品应在常温避光储存。该系列产品具有以下特点：⑴BN303-30、BN303-45:低粘度，高固含，具有极好的分辨能力;⑵BN

4、303-60:具有较好的分辨能力和较高的热稳定性，在适宜的条件下可光刻出２μm线条与间距;⑶BN303-60(H):该产品在膜厚较高时，有很好的分辨率和抗蚀性;⑷BN303-100:具有良好的粘附性和抗蚀性，显影留膜率高，能形成较厚的涂层。⒊用途:⑴BN303-30、BN303-45:产品洁净度高，适用于LSI工艺;⑵BN303-60:对酸性及碱性腐蚀液的抗蚀能力都较好，产品洁净度高，可用于大规模集成电路光刻工艺制作;⑶BN303-60(H):产品洁净度高，适用于LSI工艺;⑷BN303-100:适用于分立器件中深腐蚀加工等。㈢ BN-308系列紫

5、外负型光刻胶BN308系列紫外负型光刻胶为高抗蚀负性光刻胶，该系列产品在厚膜应用时仍有较好的分辨率，图形边缘陡直，胶膜对硝酸、氢氟酸、冰乙酸硅腐蚀液有优良的抗腐蚀能力。在硅片上可刻出70-130μm的沟槽。适用于台面工艺和功率器件的制作。⒈性质:本该产品为浅黄色、粘稠的清亮液体，易溶于苯类溶剂，在酮类、醇类等溶剂中能析淀出絮状固体。在光或热作用下，其中交联剂分解成游离基，与环化胶中的不饱和键加成形成网状结构。特点：BN308-150、BN308-300、BN308-450系列产品能形成较厚涂层，显影留膜率高，一般分辨率为1：3（膜厚：线宽）。⒉用途

6、:BN308系列产品适用于电力电子工业中晶闸管，大功率管等制作工艺，深腐蚀加工及喷砂工艺要求，刻蚀深度为70-130μm，特殊要求产品可刻蚀140μm深槽。㈣ BN-310系列紫外负型光刻胶BN310系列紫外负型光刻胶由环化聚异戊二烯、光敏剂、溶剂及添加剂组成，适用于中，大规模集成电路及其它半导体器件的生产。⒈特点:⑴分辨率高;⑵感光速度快，留膜率高;⑶粘附性好，抗蚀性强;⑷工艺宽容度大，质量稳定；⑸纯度高。⒊性质:本产品为浅黄色清亮液体，易溶于苯类溶剂，在酮类、醇类等溶剂中能析出絮状固体。在光或热作用下，光敏剂分解成游离基，能与环化胶中的不饱和键

7、加成形成网状结构。该系列胶具备以下特点：⑴BN310-25是一种低粘度、高分辨率负胶;⑵BN310-35F含有防光晕染料，特别适合高反射性基片，分辨率高，抗蚀性强。⒋用途:⑴BN310-25适用于中，大规模集成电路及其它半导体器件的生产;⑵BN310-35F适用于铝强反射表面，是在硅片、铝片上均能使用的通用型紫外负型光刻胶。　二．负胶配套试剂BN系列紫外负型光刻胶配套试剂包括显影液、漂洗液、稀释剂、表面处理剂、去膜剂、光刻胶剥离剂等，与BN系列负胶配套使用，能使胶的性能获得最佳效果。与国外同类产品性能一致。规格如下：㈠负胶显影液⒈性质：无色透明液体

8、，易挥发，能与苯等有机溶剂混合，不溶于水。⒉用途：用于BN-302、303、308等系列负胶产品的显影，也适用于其它同类光