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《本底真空度和残余气体对集成电路金属薄膜淀积影响》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、中国科技论文在线http://www.paper.edu.cn本底真空度和残余气体对集成电路金属薄膜淀积的影响何秉元1,2作者简介：何秉元(1978)，男，工程师，在职研究生，主要从事集成电路芯片制造中金属薄膜设备工艺.E-mail:hebingyuan@hhnec.com1.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51.5SchoolofMicroelectronics,ShanghaiJiaoTongUniversity,Shanghai200240;ShanghaiHuaHongNECElectronicsCo.,L
2、td,Shanghai201206上海交通大学微电子学院，上海200240；上海华虹NEC电子有限公司，上海2012062012041376459209413764592094上海浦东新区郭守敬路668号hebingyuan@hhnec.com何秉元(1978)，男，工程师，在职研究生，主要从事集成电路芯片制造中金属薄膜设备工艺何秉元BingyuanHe何秉元1.51.51.51.51.51.51.51.51.51.51*
3、*期刊*
4、*I.HashimandIJ.Raaijmakers，Vacuumrequirementsfornextwafersizephy
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6、*其他文献*
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18、1
19、何秉元
20、BingyuanHe
21、上海交通大学微电子学院，上海200240；上海华虹NEC电子有限公司，上海201206
22、SchoolofMicroelectronics,ShanghaiJiaoTongUniversity,Shanghai200240;ShanghaiHuaHongN
23、ECElectronicsCo.,Ltd,Shanghai201206
24、何秉元(1978)，男，工程师，在职研究生，主要从事集成电路芯片制造中金属薄膜设备工艺
25、上海浦东新区郭守敬路668号
26、201204
27、hebingyuan@hhnec.com
28、13764592094
29、13764592094本底真空度和残余气体对集成电路金属薄膜淀积的影响
30、EffectoftheBasePressureandResidualGasesonthePropertiesoftheMetalFilmDepositioninIC
31、-8-中国科技论文在线http://www.paper.e
32、du.cn（1.上海交通大学微电子学院，上海200240；2.上海华虹NEC电子有限公司，上海201206）-8-中国科技论文在线http://www.paper.edu.cn摘要：随着集成电路芯片器件特征尺寸不断缩小和一些特色工艺的要求，金属薄膜淀积对反应腔本底真空度和残余气体的要求越来越高，尤其对于高温厚铝溅射工艺，真空反应腔微环境的细小变化可能导致器件失效。本文采用氦质谱检漏仪、RGA对出现问题的8英寸Al、W金属薄膜淀积设备进行真空泄漏和残余气体检查，采用SEM和EDX对缺陷进行分析。研究表明设备真空腔体微漏和极微量的残余气体对Al、W金属薄膜质量影响
33、很大。从设备的角度提出改善真空度、减少
