《光电子技术实验》讲义new

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1、光电子技术实验讲义《光电子技术实验》实验讲义光信息教研室2012年9月-11-光电子技术实验讲义目录实验一LD/LED的P-I-V特性曲线测试-2-实验二光纤数值孔径测量实验-8-实验三光源调制与解调实验10实验四电光调制实验15实验五声光调制实验19实验六、APD特性参数的测量25-11-光电子技术实验讲义实验一LD/LED的P-I-V特性曲线测试一、实验目的1、通过测试LD/LED的功率-电流(P-I)特性曲线和电压-电流(V-I)特性曲线,计算阈值电流(Ith),掌握LED发光二极管和LD半导体激光器的工作特性。二、实验内容

2、1、测试LD/LED的功率-电流(P-I)特性曲线和电压-电流(V-I)特性曲线。三、实验仪器1、LD激光二极管(带尾纤输出,FC型接口)1只2、LED发光二极管1只3、LD/LED电流源1台4、光功率计1台5、万用表1台四、实验原理激光器是使工作物质实现粒子数反转分布产生受激辐射,再利用谐振腔的正反馈,实现光放大而产生激光振荡的。激光,其英文LASER就是LightAmplificationbyStimulatedEmissionofRadiation(受激辐射的光放大)的缩写。1、半导体激光器的结构半导体是由大量原子周期性有序

3、排列构成的共价晶体,由于邻近原子的作用,电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带,如下图(a)所示,能量低的能带称为价带,能量高的能带称为导带,导带底的能量Eu和价带顶的能量El之间的能量差称为禁带宽度或带隙,不同的半导体材料有不同的带隙。本征半导体中导带和价带被电子和空穴占据的几率是相同的,N型半导体导带被电子占据的几率大,P型半导体价带被空穴占据的几率大。如下图(b)、(c)所示。图1半导体激光器的电子和空穴分布半导体激光器的结构多种多样,基本结构是下图所示的双异质结平面条形结构。这种结构由三层不同类型半导体材料构成,中间层通常

4、为厚度为0.1~0.3μm的窄带隙P型半导体,称为有源层,作为工作介质,两侧分别为具有较宽带隙的N型和P型半导体,称为限制层。具有不同带隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结。有源层与右侧的N层之间形成的是P--N异质结,而与左侧的P层之间形成的是P--P异质结,故这种结构又称N-P-P双异质结构,简称DH结构。-11-光电子技术实验讲义图2半导体激光器的基本结构施加正向偏压后,就能使右侧的N层向有源层注入电子,左侧的P层向有源层注入空穴,但由于左侧的P层带隙宽,导带的能态比有源层高,对注入电子形成了势垒,注入到有源层的电子不

5、可能扩散到P层,同理,注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。这样,注入到有源层的电子和空穴被限制在0.1~0.3μm的有源层内,形成了粒子数的反转分布。前后两个晶体解理面作为反射镜构成谐振腔。给半导体激光器施加正向偏压,即注入电流是维持有源层介质的原子永远保持粒子数的反转分布,自发辐射产生的光子作为激发光子诱发受激辐射,受激辐射产生的更多新光子作为新的激发光子诱发更强的受激辐射。2、半导体激光器的主要特性(1)输出电压特性LD和LED都是半导体光电子器件,其核心部分都是P-N结。因此其具有与普通二极管相类似的V-I特性曲线,如下图

6、所示:图3激光器输出V-I特性曲线由V-I曲线我们可以计算出LD/LED总的串联电阻R和开门电压VT。(2)输出光功率特性激光器光功率特性通常用输出光功率与激励电流I的关系曲线,既P—I曲线表示。-11-光电子技术实验讲义图4LD/LED的P-I特性曲线在结构上,由于LED与LD相比没有光学谐振腔。因此,LD和LED的功率-电流的P-I关系特性曲线则有很大的差别。LED的P-I曲线基本上是一条近似的直线。从图5中可以看出LD的P-I曲线有一阈值电流Ith,只有在工作电流If>Ith部分,P-I曲线才近似一根直线。而在If

7、分,LD输出的光功率几乎为零。给半导体激光器注入电流,就是给激光器有源层半导体工作介质注入能量,对价带上的载流子(电子)进行激发,当注入电流较小时,导带和价带间载流子不能形成反转分布,这时从导带上跃迁到价带上的载流子主要以自发辐射为主,产生的是荧光,即非相干光。当注入电流达到一定值时,导带和价带间载流子才能形成反转分布,产生受激辐射,激光器才有激光(即相干光)输出,这个一定值称为阈值电流。阈值电流以后,随着注入电流的增大,导带和价带间粒子数差值增大,激光增益系数增大,输出功率增加,并与注入电流近似成线性关系,如下式所示。式中If为

8、注入电流,为普朗克常数,为入射光频率,为光速,为入射光波长,e为电子电量,ηD为外微分量子效率,Ith为阈值电流,Pth为阈值功率。根据P-I曲线可以求出激光器的阈值电流Ith和外微分量子效率ηD:将P-I曲线的线性部分作直线与横坐标相交,交点处的

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