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时间:2018-09-19
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1、太阳库专注为您建光伏电站http://www.solarstock.cn/ 黑硅太阳电池:制备工艺、研究进展和性能提升 摘要:黑硅材料特殊的微观纳米结构使其具备卓越的减反射性能,促使研究人员将其用于太阳电池的研发。然而,其优异的减反射性能和严重的载流子复合、收集之间存在着矛盾,难以达到很好的平衡。本文概述了黑硅太阳电池的研究进展,并基于对其制备工艺的理解,结合大量文献对其性能制约因素、工艺控制要点和性能提升方案进行了分析和讨论,最后对其未来的发展进行了展望。 一、前言 尽可能避免光学和电学损失,是太阳电池研究关注的两个核心问题。其中,减反射技术
2、是解决太阳电池光学损失,提升太阳光谱利用率的重要手段。而电学性能的提升则主要通过减少光生载流子的复合来实现。近年来,基于硅纳米结构的太阳电池,特别是黑硅太阳电池(BSC),凭借其卓越的减反射性能,得到了学界和业界的关注。很多研究机构围绕BSC展开了广泛的研究,主要包括:黑硅的制备工艺[1-27]、黑硅发射结钝化工艺[2,6,7,19-25,28-37]、BSC制备工艺及其对太阳电池性能的影响[19-37]等。伴随着这些研究工作的开展,BSC在近几年得到了快速的发展,其光电转换效率从早期的低于10%(单晶)和5%(多晶)[27]逐渐提高到了目前的约18.
3、2%(单晶)[34]和17%(多晶)[37]。但需要承认的是,BSC的转换效率还是落后于传统的晶硅太阳电池,一些关键的问题亟待阐明。因次,对BSC领域的太阳库专注为您建光伏电站http://www.solarstock.cn/研究进展进行总结和梳理是很有必要的。目前公开发表的关于BSC研究的综述性论文,大都倾向于介绍黑硅的制备工艺,涉及电池后道工艺对比、优化等方面的介绍和讨论都非常不足。而涉及发射结钝化、电接触优化、先进黑硅电池结构等方面内容的综述性论文则几乎没有。为此,本文以电池工艺为主线,首先概述目前BSC的常规工艺流程以及各工序的具体实现方案(第
4、二节)、其次结合大量前沿文献对常规BSC的研究进展做一小结(第三节)、然后对BSC工艺中所存在的性能制约因素进行分析,并结合文献给出一些BSC工艺控制要点和性能提升的方案(第四节)、最后对其未来的发展进行了展望(第五节)。 二、常规黑硅太阳电池制备工艺 从半导体器件物理的角度而言,太阳能光伏器件的核心部分就是PN结。目前的硅纳米结构BSC研究领域中,根据PN结的成结特点,大致可以分为两个大类:平面结和径向结。其中,平面结是目前绝大部分太阳电池所采用的结构,商业化的硅基太阳电池全部都采用此结构。而径向结虽然在载流子收集方面存在优势,但由于其制造工艺相
5、对复杂,在可控性和成本方面还存在瓶颈,因此该技术目前还停留在实验室阶段。所以,本节仅讨论平面PN结BSC制备工艺。 一般而言,目前常规的BSC工艺和商业化晶硅太阳电池工艺是十分接近的,其主要工艺流程如图1所示,主要包括:黑硅制备(相当于制绒工序)、扩散制结、黑硅发射结钝化、电极丝网印刷、共烧结太阳库专注为您建光伏电站http://www.solarstock.cn/等工序。其中,扩散制结、电极丝网印刷、共烧结工艺和商业化的晶硅电池扩散工艺是相同的,在此不做赘述。关于黑硅的制备,目前有多种方法可以实现,主要包括:反应离子刻蚀(RIE)[1-7,23-2
6、6]、金属辅助刻蚀(MAE)[8-14,27-37]、激光加工(LP)[15-17]、化学气相沉积(CVD)[18]和等离子体浸没离子注入(PIII)[19-22]等。其中,RIE、MAE和PIII是目前黑硅太阳电池研究中较为常见的。如读者要更加系统的了解黑硅的制备方法,请参见相关参考文献[38,39]。而黑硅发射结钝化工序,目前主要通过四种方案实现:氮化硅(SiNx)钝化[19-25,37]、氧化硅(SiOx)钝化[29,34,35]、SiOx/SiNx叠层钝化[31,32,36]、原子层沉积(ALD)钝化[2,6,7]。其中,前两种钝化方案,特别是
7、SiNx钝化,广泛应用于当前主流的晶硅电池工艺中。后两种钝化方案相对复杂、成本相对较高,但钝化效果更好,这些钝化方案的特点将在第四节中进行重点讨论。太阳库专注为您建光伏电站http://www.solarstock.cn/图1黑硅太阳电池工艺流程简图 三、黑硅太阳电池研究历程 2005年,清华大学朱静课题组[27]利用MAE法在单晶硅和多晶硅衬底上制备出了纳米线阵列黑硅,并将其应用于光伏器件。但由于没有对黑硅发射结进行钝化,无法抑制光生载流子的表面复合,导致前接触电极电流收集效率不高,获得了效率为9.31%(单晶硅)和4.73%(多晶硅)的太阳电池
8、。2006年,德国WalterSchottky研究所太阳库专注为您建光伏电站http://ww
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