功率驱动典型芯片

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1、1.CD4052CD4052是双四选一的多路模拟选择开关。通过改变A/B管脚的高低电平而确定不同的输出信号管脚。INHIBIT为低电平使能端。封装为16-SOIC,其真值表如下其管脚功能分布图如下：2.HEF4093BT由四组与非门-施密特触发器组成。每组与非门通过高低电平信号为开关。以电压的滞后比较性质作为区分高低电平，输出为低电平有效。封装为14-SOIC,其其管脚功能分布图如下：3.74HCT14为反相触发器。相对应的高低电平输入对应相反的电平输出。封装为14-SOIC,其管脚分配与真值表如下（H/L代表高低电平）：http://www.doc88.com/p-34161400612

2、3.html4.MAX232芯片是美信公司专门为电脑的RS-232标准串口设计的单电源电平转换芯片,使用+5v单电源供电。MAX232引脚C1与C1-、C2与C2-、C2-与V+、V+与VCC、V-与GND之间的四个0.1uF电容不可缺少并且选用陶瓷介质电容。如图所示，数据从T1IN、T2IN输入转换成RS-232数据从T1OUT、T2OUT送到电脑DB9插头；DB9插头的RS-232数据从R1IN、R2IN输入转换成TTL/CMOS数据后从R1OUT、R2OUT输出。封装为16-SOIC。其管脚分配图如图所示：5．LMV324为通用，低电压，Rail-to-Rail输出放大器，其封装为1

3、4-SOIC。3.LM358有两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器，适合于电源电压范围很宽的单电源使用，也适用于双电源工作模式，在推荐的工作条件下，电源电流与电源电压无关。它的使用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。其封装为8-OSIC。3.26LS32AC是一款RS-422接口电路。具有驱动性能强、5V单电源供电、三态输出等特点，适合于多机通讯。它由四个互补的线驱动器组成，其输出电流较大，能对称驱动双绞线或并行传输线。通过一个公共的使能端控制四个驱动器的输出（高/低/高阻）。其封装为SMD16。其逻辑功能图、管脚分配图见下图：4.AM

4、S1117是一款低压的线性稳压器，当输出1A电流时，输入输出的电压差典型值为1.2V。在最大输出电流时，AMS1117的压差保证最大不超过1.3V，并随负载电流的减小而逐渐降低。AS1117提供完善的过流保护和过热保护功能，确保芯片和电源系统的稳定性。其封装为TO-252。3.IR2104S芯片是高压高速CMOS器件，单片驱动半个H桥，IR2104S的供电电压范围是10-20V。其封装为8-OSIC。管脚分配及连接图如图所示：http://bbs.dianyuan.com/topic/773 IGBT开关过程中的过电压  关断IGBT时,它的集电极电流的下降率较高,尤其是在短路故障的情况下

5、,如不采取软关断措施,它的临界电流下降率将达到数kA/μs.极高的电流下降率将会在主电路的分布电感上感应出较高的过电压,导致IGBT关断时将会使其电流电压的运行轨迹超出它的安全工作区而损坏.所以从关断的角度考虑,希望主电路的电感和电流下降率越小越好.但对于IGBT的开通来说,集电极电路的电感有利于抑制续流二极管的反向恢复电流和电容器充放电造成的峰值电流,能减小开通损耗,承受较高的开通电流上升率.一般情况下IGBT开关电路的集电极不需要串联电感,其开通损耗可以通过改善栅极驱动条件来加以控制.  IGBT的关断缓冲吸收电路    为了使IGBT关断过电压能得到有效的抑制并减小关断损耗,通常都需

6、要给IGBT主电路设置关断缓冲吸收电路.IGBT的关断缓冲吸收电路分为充放电型和放电阻止型.    充放电型有RC吸收和RCD吸收2种.如图6所示.(a)RC型                                    (b)RCD型  RC吸收电路因电容C的充电电流在电阻R上产生压降,还会造成过冲电压.RCD电路因用二极管旁路了电阻上的充电电流,从而克服了过冲电压.